>
Fa   |   Ar   |   En
   تاثیر فشار هیدرواستاتیک برمینیمم نویز ترانزیستورهای Algan/Gan با تحرک بالای الکترونی  
   
نویسنده یحیی زاده رجب ,هاشم پور زهرا
منبع هيدروفيزيك - 1399 - دوره : 6 - شماره : 2 - صفحه:93 -104
چکیده    در این مقاله، مدل عددی برای محاسبه چگالی و جریان الکترونی چاه کوانتم ترانزیستورهای algan/gan با در نظر گرفتن فشارهیدرواستاتیکی ارائه شده است که امکان بررسی اثر فشار روی رسانندگی متقابل، ساب باند‌های چاه کوانتمی، جریانهای نشت سطحی و حجمی و نهایتاً مینیمم نویز را فراهم می‌کند. دراین مدل از حل خودسازگار معادله شرودینگر و پواسون در بدست آوردن چگالی گاز الکترونی دو بعدی استفاده شده که در آن تا پنج ساب باند انرژی در نظر گرفته شده است. افزایش فشارمعادل گیت مجازی در ترانزیستورها در مجاورت گیت حقیقی عمل میکند که باعث افزایش عمق چاه کوانتم، جریان و چگالی الکترونی، رسانندگی متقابل، جریانهای نشت ونهایتاً مینیمم نویز میگردد. با افزایش فشار ساب باندها چاه کوانتم دو بعدی به سمت پایین فشرده می‌شود و الکترون‌ها بستگی قوی پیدا می‌کنند و محدودیت کوانتمی افزایش می‌یابد . همچنین در هر فرکانس و جریان درین سورس دلخواهی افزایش فشار باعث افزایش مینیمم نویز می‌شود. نتایج محاسبه شده با داده‌های تجربی موجود مطابقت خوبی دارند.
کلیدواژه فشار هیدرواستاتیکی، مینیمم نویز، نشت گیت، چاه کوانتم
آدرس دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوی, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوی, گروه فیزیک, ایران
پست الکترونیکی zahra.hashempour@iaukhoy.ac.ir
 
   Effect of Hydrostatic Pressure on Minimum nose of AlGaN/GaN high electron mobility transistors  
   
Authors Yahyazadeh Rajab ,Hashempoor Zahra
Abstract    In this paper, a numerical model for calculating the density and electron current of quantum wells of AlGaN / GaN transistors is presented by considering hydrostatic pressure, which enables the effect of pressure on mutual conductivity, quantum well subbands, surface and volume leakage currents and finally check for minimum noise. In this model, a selfconsistent solution of Schrodinger and Poisson equation is used to obtain a twodimensional electron gas density in which up to five energy subbands are considered. An increase in hydrostatic pressure is equivalent to creating a virtual gate adjacent to a real gate., which increases the quantum well depth, current and electron density, crossconduction, leakage currents, and finally the minimum noise. As the pressure increases, the quantum well subbandes are compressed downward, and the electrondependent energy increases and the quantum confinement increases. Also, at any desired frequency and drainsource current, increasing the pressure increases the minimum noise. The calculated results are in good agreement with the available experimental data.
Keywords
 
 

Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved