طراحی و پیاده سازی امولاتور شناور سلف حافظه‌دار در فرکانس‌های بالا

بدون شک عناصر حافظه‌دار انقلاب جدیدی در صنعت الکترونیک ایجاد کرده است، که باعث می‌شود از خواص آن در کاربردهای گوناگون بهره برد. سلف حافظه‌دار یکی از عناصر مذکور بوده که با توجه به ویژگی‌های منحصر به ‌فرد آن به تازگی مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفته است. در این مقاله، ابتدا یک ساختار جدید از مدل سلف حافظه‌دار با استفاده از ممریستور ارایه گردیده است. این ساختار تا فرکانس 200 هرتز عملکرد خوبی از خود نشان می‌دهد. سپس برای اولین بار یک ساختار جدید به منظور طراحی و پیاده‌سازی امولاتور سلف حافظه‌دار کنترل شده با شار مغناطیسی در محدوده فرکانسی مگاهرتز پیشنهاد شده است. مدار امولاتور پیشنهادی از یک ضرب کننده آنالوگ استفاده می‌کند. مدل سلف حافظه‌دار بیان شده می‌تواند در هر دو تنظیمات افزایشی و کاهشی تنظیم شود و عملکرد خوبی تا فرکانس 5/6 مگاهرتز داشته باشد. در این مقاله ابتدا تحلیلی از مدل پیشنهاد شده با مدارات الکترونیکی توضیح داده شده است و سپس نتایج شبیه‌سازی و ساخت مدل پیشنهادی آورده شده است. نتایج مدار طراحی شده، نشان دهنده عملکرد مناسب مدار طراحی شده به‌عنوان سلف حافظه‌دار می‌باشد.

Design and Implementation of High Frequency Floating Meminductor Emulator

Undoubtedly, the discovery of the memristive elements has created a new revolution in the electronics industry that makes it possible to take advantage of its properties in a variety of applications. The meminductor has been one of those elements that has received much attention in recent years due to its features. In this paper, a new structure of the meminductor model using memristor is presented. This circuit performs well up to 200 Hz. Then, for the first time, a new structure is proposed for the design and implementation of flux controlled floating meminductor emulators at frequencies in the Megahertz (MHz) range. The proposed emulator circuit uses an analog multiplier. The proposed meminductor model can be adjusted in both incremental and subtractive settings and perform well up to 6.5 MHz. This paper first presents an analysis of the proposed model with electronic circuits and then presents the simulation and facrication results of the proposed model. The results of the designed circuit show the proper performance of the designed circuit as the meminductor.