|
|
|
|
تاثیر گیت دوم بر عملکرد فرکانس بالای ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا Algan/Gan
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
جلالی زینب ,حسینی رضا
|
|
منبع
|
عصر برق - 1397 - دوره : 5 - شماره : 10 - صفحه:42 -45
|
|
|
|
|
چکیده
|
ترانزیستورهای با تحرک الکترونی بالا (hemt) افزاره های الکترونیکی مهمی برای ساختارهای سرعت بالا به شمار می روند. در این مقاله، به بررسی مشخصه های الکتریکی ساختار algan/gan hemt پرداخته شده و میزان تاثیر گیت دوم براثرات کانال کوتاه و عملکرد فرکانس بالای افزاره مورد تحلیل و بررسی قرار گرفته است. تمامی شبیه سازی ها توسط نرم افزار دو بعدی سیلواکو انجام گرفته است. مقدار ولتاژ آستانه، جریان حالت روشن، حالت خاموش و شیب زیر آستانه بررسی شد. مشخص گردید با افزایش تعداد گیت اثرات کانال کوتاه به دلیل افزایش کنترل گیت بر کانال به طور قابل ملاحظه ای کاهش می یابد. همچنین پارامترهای فرکانس بالا شامل ترارسانایی، خازن گیت و فرکانس قطع بالا محاسبه شد. نتایج بدست آمده نشان می دهد فرکانس قطع بالا در افزاره دو گیتی (dg) بیشتر از فرکانس قطع بالا در افزاره یک گیتی ( sg) است. لذا ساختار دو گیتی برای کاربردهای فرکانس بالا افزاره مناسب تری می باشد.
|
|
کلیدواژه
|
ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا، اثرات کانال کوتاه، خازن گیت، ترا رسانایی، فرکانس قطع بالا
|
|
آدرس
|
دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوی, گروه مهندسی برق, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوی, گروه مهندسی برق, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
hosseini@iaukhoy.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
The Impact of the Second Gate on High Frequency Performance of AlGaN/GaN HEMT
|
|
|
|
|
Authors
|
hoseini seyed reza ,jalali zeinab
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|