تهیه نانوکامپوزیت مغناطیسی پلی آنیلین و بررسی کاربرد آن در حذف دی بنزوتیوفن
|
|
|
|
|
نویسنده
|
اتحادی الهام ,افضلی داریوش ,بهزادی منصوره
|
منبع
|
علوم و فناوري كامپوزيت - 1398 - دوره : 6 - شماره : 2 - صفحه:294 -299
|
چکیده
|
وجود ترکیبات آلی سولفوردارمانند دی بنزوتیوفن (dbt) در سوخت های حمل و نقل نه تنها یک منبع عمده باران اسیدی است، بلکه دلیل بسیاری از بیماری های جدی سیستم تنفسی انسان مانند سرطان ریه است. بر این اساس، حذف موثر dbt بسیار مهم است. در این پژوهش، نانو ذرات مغناطیسی به روش هم رسوبی سنتز شدند و سپس این نانو ذرات طی فرآیند پلیمریزاسیون اکسایش شیمیایی در محیط مایسلی با استفاده از سدیم دو دسیل سولفات به عنوان سورفکتانت به وسیله لایه نازکی از پلی آنیلین پوشش داده شدند. محصول سنتزی با استفاده از روشهای میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem)، پراش اشعه ایکس (xrd) و طیفسنجی تبدیل فوریه مادون قرمز(ftir) شناسایی شد. مدلهای ایزوترم لانگمویر و فروندلیچ برای مطابقت داده های تعادلی برای نانوکامپوزیت مغناطیسی استفاده شدند. فرآیند جذب به خوبی توسط مدل لانگمویر (0.9899) توصیف میشود. جاذب مغناطیسی بیشینه ظرفیت جذب 118.42 میلی گرم بر گرم را در شرایط بهینه (مقدار جاذب؛ 0.01 گرم، زمان تماس؛ 15 دقیقه؛ ph؛ 9.3) فراهم کرد. و بیشینه ظرفیت جذب 118.42 میلی گرم بر گرم محاسبه گردید.
|
کلیدواژه
|
نانوکامپوزیت مغناطیسی، حذف دی بنزوتیوفن، جاذب
|
آدرس
|
دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته, ایران, دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته, ایران, دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته, ایران
|
|
|
|
|
|
|