بررسی ویژگی نوری نانوورقه و نانو لوله as2gese بر اساس محاسبات اصول اولیه

در این مقاله ویژگی نوری نانوورقه و نانولوله دسته صندلی (6،6) ترکیب as2gese (بخش حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، تابع اتلاف انرژی، ضریب شکست، ضریب بازتاب و ضریب جذب) با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی و روش  شبه-پتانسیل مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج به‌دست آمده از ویژگی نوری نانوصفحه، ناهمسانگردی این ترکیب را به خصوص در انرژی‌های پایین و میانی نشان می‌دهد. رفتار تابع دی‌الکتریک این ماده مانند مواد نیم رسانا است. بیشتر قله‌های قسمت موهومی تابع دی الکتریک برای راستاهای درون صفحه‌ای نانوورقه و رشد نانولوله از انرژی‌های پایین تا حدود 6 الکترون ولت شروع می شود. انتقال‌های نوری در زیر تراز فرمی به اوربیتال‌های p برای اتم‌های as، ge وs و در بالای تراز فرمی به اوربیتال‌های p اتم‌های se و as مربوط هستند. نتایج ما نشان می‌دهد که بیشترین بازتاب برای نانوورقه، در راستای درون صفحه‌ای در انرژی 5/66 الکترون ولت برابر با 46% است.

investigation of optical properties of as2gese nanosheet and nanotube based on first-principles calculations

in this paper, the optical properties of nanosheet and (6,6) armchair as2gese nanotube (the real and imaginary part of dielectric function, spectrum of energy loss, refractive index, extinction coefficient, and absorption coefficient) are investigated based on the density functional theory. the results obtained from the optical properties of the nanosheet show the anisotropy of this compound, especially at low and middle energies. the behavior of the dielectric function of this material is like a semiconductor material. the main peaks of the imaginary part of dielectric function for in-plane and nanotube growth directions start from low energies up to about 6 ev. the optical transmissions below the fermi level are associated with the p-orbitals for the as, ge, and s atoms and above the fermi level to the p-orbitals of the se and as atoms. our results show that the highest reflectance for both in-plane-direction at the energy of 5.66 ev is 46%.