|
|
|
|
بررسی ویژگی نیم فلزی تک لایه sic آالیش یافته بااتم های منگنز به منظور کاربرد درنانو اسپینترونیک
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
رستمی محمد ,افکنی محمد ,عابدی مائده ,امان ترکمن پوریا
|
|
منبع
|
نانو مقياس - 1398 - دوره : 6 - شماره : 4 - صفحه:110 -115
|
|
چکیده
|
در این پژوهش، ویژگیهای ساختاری، الکترونی و مغناطیسی تک الیه sic آالیش یافته با اتمهای منگنز مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج مربوط به ویژگی الکتریکی نشان میدهد که تک الیه sic خالص، بر خالف گرافین خالص، دارای گاف نواری قابل توجهی است، که باعث کابرد آن در صنعت الکترونیک میشود. پایدارترین ساختار با در نظر گرفتن اتمهای منگنز بر ر اتمهای کربن، اتم سیلیسیم و مرکز شش ضلعی با انجام واهلش کامل موقعیتهای اتمی و پارامترهای شبکه، مشخص شد. نتایج محاسبات نشان میدهد که پایدارترین حالت این ترکیب برای حالتی است که اتمهای منگنز روی اتمهای کربن قرار میگیرند. بنابراین، برای این ساختار، ویژگی الکترونی و مغناطیسی محاسبه شده است. نمودارهای چگالی حاالت جزئی و کلی بیانگر وجود ویژگی نیم-فلزی در این ترکیب است. در نتیجه از این تک الیه میتوان در ساخت قطعات نانواسپینترونیکی و شیرهای اسپینی استفاده کرد. همچنین در این مقاله تالش شده که با رسم نمودارهای ساختار نواری وابسته به اسپین و مقایسه آن با چگالی حاالت جزئی، سازوکار ایجاد خاصیت نیم-فلزی در این مواد مورد بررسی قرار گیرد.
|
|
کلیدواژه
|
نانو اسپینترونیک، تک لایه‌های اتمی، فرومغناطیس‌های نیم‌فلزی، ساختار نواری
|
|
آدرس
|
دانشگاه خوارزمی, دانشکده فیزیک, ایران. دانشگاه خوارزمی, پژوهشکده علوم کاربردی, ایران, دانشگاه خوارزمی, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه خوارزمی, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه خوارزمی, دانشکده فیزیک, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
The Investigation ofthe Half-metallic Properties of Mn-dopedSiC Monolayer for Nanospintronic Applications
|
|
|
|
|
Authors
|
Rostami M. ,Afkani M. ,Abedi M. ,Aman Torkaman P.
|
|
Abstract
|
In this study, the structural, electronic and magnetic properties of silicon carbide monolayer coated with manganese have been investigated. The results of the electrical properties show that, in contrast to graphene, the pristine SiC monolayer has a sizeable bandgap which makes it suitable for application in electronics industry. The most stable structure was identified by considering manganese atoms on carbon atoms, silicon atoms, and hexagon centers with doing the complete relaxations of atomic positions and cell parameters. The results of the calculations show that the most stable state of this compound is related to the case when manganese atoms are deposited on carbon atoms. Therefore, the electronic and magnetic properties are calculated for this structure. The partial and total density of states indicate the existence of halfmetallicity in this compound. As a result, this monolayer can be used to make Nano spintronic components and spin valves. Also, in this paper, we tried to study the mechanism for the formation of halfmetallic by plotting spindependent band structure diagrams and comparing them with the partial density of states
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|