|
|
آماده سازی تک مرحله ای و شناسایی نقاط کوانتومی گرافن اکساید و بررسی اثر تیواوره و آمونیا ( n,s ) بر ویژگی نوری نقاط کوانتومی سنتز شده
|
|
|
|
|
نویسنده
|
ضیاء شیرزاد احمد ,زارع حکیمه ,شاهدی زهرا ,استواری فاطمه ,فضایلی یوسف
|
منبع
|
نانو مقياس - 1399 - دوره : 7 - شماره : 3 - صفحه:48 -54
|
چکیده
|
نقاط کوانتومی گرافن اکساید ( goqd ) نورتاب، توجه زیادی از دانشمندان را در علم شیمی، مواد، زیست فناوری و فیزیک، به دلیلپایداری فوق العادهاشان، ویژگی الکتروشیمیایی، نوری عالی و سمیت کم به خود جلب کردهاند. در این پژوهش، نقاط کوانتومی گرافن اکسایدبا استفاده از یک روش ساده و مستقیم آب گرمایی تهیه شدند. در ادامه، برای افزایش و تغییر نورتابی، نقاط کوانتومی گرافن اکساید دوپ شدهبا نیتروژن) n ( و سولفور) s ( در حضور تیواوره و آمونیا به صورت تک مرحلهای و ساده سنتز شدند. نقاط کوانتومی بوسیله طیف سنجی فروسرخ تبدیل فوریه، طیف جذبی فرابنفش مرئی و فوتولومینسانس و میکروسکوپ الکترونی عبوری شناسایی شدند. نقاط کوانتومی گرافن اکساید دوپ شده n و s برخلاف نقاط کوانتومی گرافن اکساید پایه دارای نورتابی آبی و دارای شدت بالاتری نسبت به همتای پایه خود دارند. بخاطراین ویژگی برجسته لومینسانس نقاط کوانتومی گرافن اکساید دوپ شده n و s میتوانند برای تصویربرداری پزشکی و سایر کاربردهای نوریاستفاده شوند.
|
کلیدواژه
|
گرافن اکساید، نقاط کوانتومی، نقاط کوانتومی گرافن اکساید دوپ شده با n و s، طیف سنجی فرابنفش مرئی، -فوتولومینسانس
|
آدرس
|
دانشگاه یزد, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه یزد, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه یزد, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه یزد, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه پژوهشکده علوم و فنون هسته ای, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
One-step preparation and characterization of ghraphene oxide quantum dots and investigaion of the effect of thiourea and ammonia (S,N) on the optical properties of the synthe sized quantum dots
|
|
|
Authors
|
Zia Sherzad Ahmad ,Zare Hakimeh ,shahedi Zahra ,Ostovari Fatemeh ,Fazaeli Yousef
|
Abstract
|
In this paper two resonant photonic crystals is proposed that their optical response depends not only to the modulation of the dielectric function but also to the interaction of the incident light with the crystal’s internal excitations. Alternating layers made of GaAs (as the barrier layer) and InAs/InGaAs quantum dots (dipole active layer) are selected as the main building blocks of the crystals. Structural order is disturbed by adding defects. Transfer Matrix Method (TMM) is applied to evaluate the optical features of the crystals and in order to model the real situation, the roles of the effective exitonic susceptibility besides the homogenous and nonhomogenous broadenings are considered in calculations. Dependence of the structures response (including width and wavelength range of the stop band and resonant modes) to the structural parameters such as layers period number, size of the slabs and homogeneity of the layers are studied at the first step. Extracting the optimum values, tunability of the optical features with external parameters such as crystal temperature and light incident angle is explored systematically. Results clearly show the great potential of the proposed crystals for applications such as all optical tunable filters, frequency dividers and switches.
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|