|
|
|
|
تنظیم پذیری مدهای نقص بلور فوتونی یک بعدی نقص‌دار متقارن و نامتقارن بر پایه‌ی تک لایه ی دو بعدی mose2
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
انصاری نرگس ,محبی انسیه ,نظری عفت
|
|
منبع
|
نانو مقياس - 1400 - دوره : 8 - شماره : 4 - صفحه:12 -20
|
|
چکیده
|
نانوساختار دی سلنید مولیبدن mose2 با ساختار دوبعدی شش ضلعی، به علت ویژگی‌های منحصر به فرد از جمله جذب بالا و گاف نواری مستقیم انتخاب مناسبی برای کاربری‌های اپتوالکترونیکی می‌باشد. یکی از روش‌های افزایش جذب در این تک لایه، قرار دادن آن به صورت نقص در ساختارهای بلور فوتونی یک بعدی می‌باشد. قرارگیری نقص‌ها در ساختار بلور فوتونی به صورت متقارن یا نامتقارن می‌باشد که بر تعداد و فرکانس مدهای نقص اثر می‌گذارد. در این مقاله برای رسیدن به جذب بالا و تنظیم پذیری طول موج مد نقص، تاثیر عواملی مانند ضخامت لایه‌ی نقص، ضخامت لایه‌ها و دوره تناوب در بلورهای فوتونی نقص دار متقارن و نامتقارن بررسی شده است. در ساختارهای متقارن بهینه به یک مد نقص با جذب کامل در وسط گاف نواری و در ساختارهای نامتقارن به دو مد نقص با جذب در حدود 70% و 80% در لبه‌های گاف نواری دست یافته‌ایم. با تغییر ضخامت لایه‌ی نقص و طول موج طراحی، قابلیت تنظیم پذیری طول موج مد نقص وجود دارد که برای کاربری در آشکارسازها و فیلترهای جاذب مفید می‌باشد.
|
|
کلیدواژه
|
بلورهای فوتونی نقص دار، تک لایه‌ی mose2، تنظیم پذیری طول موج، ساختار متقارن و نامتقارن، فیلترهای جاذب، مد نقص
|
|
آدرس
|
دانشگاه الزهرا, دانشکده فیزیک شیمی, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه الزهرا, دانشکده فیزیک شیمی, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه الزهرا, دانشکده فیزیک شیمی, گروه فیزیک
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Adjustable defect modes in symmetric and asymmetric two-dimensional defective photonic crystal based on MoSe2
|
|
|
|
|
Authors
|
ansari narges ,Mohebbi Ensiyeh
|
|
Abstract
|
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|