مطالعه نانو ترانزیستور خازن-منفی بر پایه ماده فروالکتریک دو بعدی in2se3
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
سلیمانی مریم ,پورفتح مهدی
|
|
منبع
|
نانو مقياس - 1400 - دوره : 8 - شماره : 4 - صفحه:1 -11
|
|
چکیده
|
این پژوهش، مطالعه‌ای بر روی نانو ترانزیستور اثر میدان-خازن منفی بر پایه ماده فروالکتریک دو بعدی α-in2se3 به منظور کاهش تاب زیر آستانه ارائه می‌دهد. گذار فاز و همچنین دمای کوری تک لایه α-in2se3 با استفاده از شبیه‌سازی دینامیک مولکولی و مونتکارلو بررسی شد. محاسبات نشان داد دمای کوری α-in2se3 بالاتر از دمای اتاق است و بنابراین این ماده انتخابی برای کاربرد در نانو ترانزیستور اثر میدان-خازن منفی امیدوار کننده می‌باشد. در ادامه، مشخصات ترانزیستور اثر میدان-خازن منفی با کانال mos2 و ماده فروالکتریک α-in2se3با استفاده از استخراج ثابت‌های لاندائو این فروالکتریک ارزیابی شد. در این ترانزیستور تاب زیر آستانه در حدود mv/dec 59-27 برای فروالکتریک با ضخامت nm 5-25 بدست آمد، که می‌توان با استفاده از لایه عایق نازک‌تر با مقادیر بالای κ تاب زیر آستانه را کاهش بیشتری داد.
|
|
کلیدواژه
|
نانو ترانزیستور اثر میدان-خازن منفی، دمای کوری، فروالکتریسیته، گذار فاز، مواد دو بعدی، in2se3
|
|
آدرس
|
دانشگاه تهران, دانشکده مهندسی برق, ایران, دانشگاه تهران، پردیس دانشکده های فنی, دانشکده مهندسی برق, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
pourfath@ut.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|