فرآیند تکثیر چند اکسیتون در نانوساختارهای مرکب سیلیکان-ژرمانیوم
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
گردی ارمکی مهدی ,مروج فرشی محمد کاظم
|
|
منبع
|
نانو مقياس - 1397 - دوره : 5 - شماره : 2 - صفحه:169 -177
|
|
چکیده
|
در فرآیند تکثیر چند اکسیتون، جذب یک فوتون در شرایط معین می‌تواند به تولید بیش از یک اکسیتون منجر شود و در نتیجه بازده افزاره‌ی جاذب نور را افزایش دهد. در این نوشتار با استفاده از روشی بس ذره ای، نتایج حاصل از شبیه‌سازی فرآیند تکثیر چند اکسیتون در نانوساختارهای مرکب سیلیکانژرمانیوم ارائه می‌شود. نتایج شبیه‌سازی‌ها نشان می‌دهند افزایش تعداد اتم‌های سیلیکان در نانوساختار باعث افزایش آستانه‌ی تکثیرِ بیش از یک اکسیتون و نیز افزایش بیشنه‌ی جذب نوری می‌شود.
|
|
کلیدواژه
|
تکثیر چند اکسیتون، احتمال کوانتومی meg، نانوساختارهای ترکیبی سیلیکن-ژرمانیوم
|
|
آدرس
|
دانشگاه تربیت مدرس, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران, دانشگاه تربیت مدرس, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
moravvej@modares.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|