ضریب عبور یک نانونوار گرافن نردبانی شکل بلند متصل به چند بنزن اضافی

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین و در رهیافت تنگابست به بررسی ترابرد الکترونی یک نانونوار نردبانی شکل نامتناهی که چند حلقه بنزن در قسمت کوچکی از آن اضافه شده است، می پردازیم. برای این منظور ابتدا هامیلتونی سامانه مورد نظر را با استفاده از یک تبدیل متعامد به گونه ای تغییر می دهیم که هامیلتونی قسمت های ایده آل آن معادل هامیلتونی دو زنجیره ی ساده باشد. نتایج نشان می دهد که حضور حلقه های اضافی، باعث کاهش رسانش شده و در بعضی موارد، دره های ضد تشدیدی در طیف ضریب عبور الکترونی ایجاد می کند. رسانش الکترونی پیکربندی های مختلف که از جابجایی مکان حلقه های اضافی شکل می گیرند، مطالعه و مقایسه شده است. بخصوص مقدار ضریب عبور در انرژی فرمی در پیکربندی های متفاوت را مورد توجه قرار داده ایم.