|
|
رشد بلورهای Bivo4 با روش هیدروترمال و بدون استفاده از جوانه به منظور کاربرد در صنایع تصفیۀ آب و تولید هیدروژن
|
|
|
|
|
نویسنده
|
ناظمزادگان محمدرضا ,قاسمپور رقیه ,یوسفی حسین
|
منبع
|
اكوهيدرولوژي - 1397 - دوره : 5 - شماره : 4 - صفحه:1355 -1369
|
|
|
چکیده
|
لایههای نازک بلورهای بیسموت وانادیت (bivo4) با استفاده از روش هیدروترمال روی زیرلایۀ بدون پوشش fto به منظور کاربرد در صنایع تصفیۀ آب و تولید هیدروژن نشانده شدهاند. نمونهها پس از لایهنشانی در بازۀ دمایی 450 تا 550 درجۀ سانتیگراد پخت شدهاند. الگوی بلورشناسی اشعۀ ایکس (xrd) که برای لایههای بیسموت وانادیت آماده شده، تاییدکنندۀ ساختار مونوکلینیک این بلور است. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) برای بلور، شکل دوهرمهای برش دادهشده را نشان میدهد که از نظر فوتوالکتروشیمیایی فعالاند. با کنترل و بهینهسازی پارامترهایی همچون دما، مدت لایهنشانی، غلظت محلول پیشماده و دمای پخت نمونهها، لایهای یکنواخت و با چسبندگی زیاد از bivo4 ایجاد شد. لایۀ بهینۀ bivo4/fto در دمای 120 درجۀ سانتیگراد در حداقل زمان (چهار ساعت) با بهکارگیری محلولی به غلظت 27 میلیمولار از پیشمادههای بیسموت وانادیت که در ph معادل 1.2 بود، به دست آمد. به عنوان معیاری از عملکرد کریستالهای رشد دادهشده در واکنشهای تولید هیدروژن و واکنشهای تجزیۀ آلایندههای آلی آب، اندازهگیری ولتامتری روبش خطی نمونهها انجام شده و با یکدیگر مقایسه شدهاند. نتیجۀ تستهای ولتامتری روبش خطی پاسخ نوری نمونه را به میزان 70 میکروآمپر بر سانتیمتر مربع در ولتاژ 1 ولت (در مقایسه با الکترود مرجع ag/agcl) برای نمونههای پختشده در دماهای بیشتر از 500 درجه نشان میدهد. همچنین، یک مدل ساده برای درک بهتر رفتار رشد بلورهای bivo4 تحت شرایط رشد مختلف پیشنهاد شد.
|
کلیدواژه
|
بیسموت وانادیت، رشد هیدروترمال بدون جوانه، فوتوالکتروشیمی
|
آدرس
|
دانشگاه تهران, دانشکدۀ علوم و فنون نوین, ایران, دانشگاه تهران, دانشکدۀ علوم و فنون نوین, ایران, دانشگاه تهران, دانشکدۀ علوم و فنون نوین, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|