|
|
بررسی قابلیت استفاده از ماسفتهای قدرت سری irf به عنوان دوزیمترپرتو گاما
|
|
|
|
|
نویسنده
|
موحدی فر امیر ,اشرفی صالح ,اسلامی بهارک
|
منبع
|
مجله سنجش و ايمني پرتو - 1401 - دوره : 11 - شماره : 1 - صفحه:11 -20
|
چکیده
|
در این مقاله قابلیت استفاده از ماسفتهای قدرت سری irf به عنوان دزیمتر پرتو گاما مورد بررسی قرار گرفت. برای این هدف، تغییرات ولتاژ آستانه ایجاد شده در اثر تابش پرتو گاما و همچنین مشخصههای محو شدگی در دمای اتاق به عنوان دو مشخصه اصلی دزیمتر ایدهآل برای سه نوع ماسفت قدرت با مقاومت درین-سورس حالت روشن بزرگتر از 1 اهم اندازهگیری و مقایسه شده است. برای تابشدهی از چشمه کبالت 60 در دزهای تابشی محدوده krad 100-1 با نرخ دز krad/h 10 استفاده شده است. نتایج به دست آمده نشان میدهد که تغییرات ولتاژ آستانه نسبت به دز تابشی برای هر سه نوع ماسفت خطیت خوبی دارد. همچنین ماسفت با مقاومت حالت روشن بزرگتر حساسیت بیشتری نسبت به تابش گاما دارد. مشخصه محو شدگی برای هر سه نوع ماسفت در بازه زمانی شش ماهه کمتر از 1 درصد میباشد. بنابر این، ماسفتهای قدرت سری irf ارزان قیمت انتخاب خوبی برای دزیمتری پرتو گاما میباشند.
|
کلیدواژه
|
دوزیمتری، ماسفت قدرت، تابش گاما، ولتاژ آستانه، کبالت 60
|
آدرس
|
دانشگاه تبریز, گروه فیزیک هستهای, ایران, دانشگاه تبریز, پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی, گروه کاربرد پرتوها، گروه فیزیک هسته ای, ایران, دانشگاه پیام نور مرکز تهران, گروه فیزیک, ایران
|
پست الکترونیکی
|
bkeslami@yahoo.com
|
|
|
|
|
|
|
|
|
investigation of the ability to use irf series power mosfets as gamma-ray dosimeters
|
|
|
Authors
|
movahdi far amir ,ashrafi saleh ,eslami baharak
|
Abstract
|
in this paper, the ability of using irf series power mosfets as gamma ray dosimeters was investigated. for this purpose, the threshold voltage shift generated by gamma ray radiation and the fading characteristics at room temperature, as the two main characteristics of the ideal dosimeter, for three types of power mosfets with a drain-source on resistance (rds(on)) greater than 1ω was measured and compared. cobalt-60 source was used for irradiation at radiation dose in the range of 1-100krad with a dose rate of 10krad/h. the results show that the threshold voltage shift relative to the radiation dose has a good linearity for all three types of mosfets. also, mosfet with higher rds(on) is more sensitive to gamma radiation. the fading characteristics for all three types of mosfets in the six-month period is less than 1%. therefore, inexpensive irf series mosfets are good candidates for gamma ray dosimetry.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|