پهن شدگی دوپلری گاماهای نابودی پوزیترون در ورقه های سیلیکونی نوع ان و پی تابش دیده توسط گاما، نوترون و الکترون

پهن‌شدگی دوپلری گاماهای ناشی از نابودی پوزیترون در ورقه‌های سیلیکونی نوع ان و پی که استفاده فراوانی در صنعت الکترونیک دارند، اندازه‌گیری شد. ورقه‌ها تحت تابش الکترون‌های 10 مگاالکترون‌ولتی (30 کیلوگری)، ‌گاماهای چشمه کبالت 60 (175 کیلوگری) و شار نوترون حرارتی راکتور (0.038 گری) قرار گرفته‌اند. در این تحقیق از یک سامانه متداول همزمانی طیف‌‌سنجی نابودی پوزیترون، شامل یک آشکارساز فوق‌خالص ژرمانیوم، یک آشکارساز سوسوزن و چشمه پوزیترون‌دهنده سدیم 22، استفاده شده است. فعالیت نمک پرتوزا، 7 میکروکوری است که بین دو لایه نازک پلیمری، هر کدام به ضخامت 7 میکرومتر، ساندویج شده است. نتایج این تحقیق حاکی از ایجاد نقص قابل مشاهده در نمونه‌های سیلیکونی تابش دیده با الکترون است.