|
|
|
|
مطالعه اثر تابش گاما روی خواص الکتریکی mosfet و دیود mos برای کاربرد دزیمتری
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
توحیدی توکل ,رحمت اله پور شهریار
|
|
منبع
|
مجله سنجش و ايمني پرتو - 1399 - دوره : 8 - شماره : 6 - صفحه:43 -52
|
|
چکیده
|
در این کار، اثر تابش پرتو گاما روی خواص ترانزیستورهای اثر میدان نیمه‌هادی اکسید فلزی (mosfet) (براساس تغییر ولتاژ آستانه‌شان در اثر پرتودهی) بررسی شده است. ابتدا، اثر تابش گاما روی ترانزیستورهای pmos تجاری موجود در بازار برای دزیمتری مطالعه گردید. نتایج نشان داد که پاسخ آشکارساز نسبت به دز دریافتی خطی نیست، بنابراین در ناحیه‌های مختلف مورد بررسی قرار گرفت. سپس، دیودهای mos )به‌صورت اتصال (al/nsi/sio2/al به‌عنوان دزیمتر ساخته شدند. نمونه‌های ساخته‌شده در دُزهای میلی‌گری تا کیلوگری تابش‌دهی و رفتار الکتریکی آن‌ها مورد بررسی قرار گرفتند. مشاهده شد که در بایاس مستقیم تغییرات جریان، کم اما در بایاس معکوس و در ولتاژهای کمتر از 20 ولت تغییرات جریان دیودها نسبت به دُز دریافتی، زیاد و مقدار آن قابل اندازه‌گیری بود. هم‌چنین مشاهده گردید که حساسیت دیود یک عدد ثابت نیست و این ناشی از این مساله است که منحنی تغییرات دُز نسبت به جریان خطی نمی‌باشد. از روی منحنی‌ها سه ناحیه نسبتاً خطی به‌دست آمد و حساسیت‌ها نسبت به این سه ناحیه محاسبه گردید.
|
|
کلیدواژه
|
اکسیدهای فلزی، تابش گاما، دیودهای mos، دزیمتر، حساسیت.
|
|
آدرس
|
پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ای, پژوهشکده کاربرد پرتوها، مجتمع پژوهشی شمال غرب کشور (بناب), ایران, پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ای, پژوهشکده کاربرد پرتوها، مجتمع پژوهشی شمال غرب کشور (بناب), ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
rahmatsh@yahoo.com
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Study of gamma irradiation effect on electrical properties of MOSFET and MOS diode for application in dosimetry
|
|
|
|
|
Authors
|
Tohidi Tavakkol ,Rahmatallahpur Shahryar
|
|
Abstract
|
In this work, the effect of the gamma radiation on the threshold voltage of metal oxide field effect transistor (MOSFET) was investigated. First, the purchased P typeMOS transistor was considered. Due to a nonlinear response to the administrated dose, the different regions were analyzed. Then we constructed an Al/nSi/SiO2/Al MOS diode. These diodes were irradiated to mili to kilo Gray dose and their electrical behavior were investigated. In forward bias, the current variation was low but in reverse bias and lower than 20 volt, the current variation was large and measurable. A nonconstant responsivity was obtained for diodes which is due to the non linearity of dose current curve. Three different regions were chosen and the responsivity in these regions was obtained
|
|
Keywords
|
Metal oxides ,Gamma irradiation ,MOS diodes ,Dosimeter ,Responsivity.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|