پیاده‌ سازی مقایسه ‌کننده با ورودی چهارسطحی و خروجی سه‌ سطحی بر پایه تکنولوژی ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی

با توجه به بزرگ ‌شدن داده‌های پردازشی، سیستم‌های پردازشی باید طوری طراحی شوند که فضای کمتری را اشغال کنند. بزرگ‌ شدن سیستم‌های پردازشی، باعث رشد اندازه داده‌ها شده و از طرفی مشکلات کوچک‌سازی ترانزیستورهای اثر میدانی فلز عایق نیمه‌هادی طراحان مدارات پردازشی را با مشکلات عدیده‌ای مواجه کرده است. ایده جایگزینی مدارهای پردازشی باینری با مدارهای پردازشی چندسطحی باعث کاهش اتصالات بین سیستم‌ها و فضای مصرفی می‌شود. چون پیاده‌سازی مدارهای پردازشی چندسطحی با تکنولوژی ترانزیستورهای اثر میدانی فلز عایق نیمه‌هادی، بسیار پیچیده و مشکل‌آفرین است، جایگزین مناسب برای ترانزیستور اثر میدانی فلز عایق نیمه‌هادی، فناوری ترانزیستورهای نانولوله کربنی است که مزایای بسیاری همانند امکان ساخت ترانزیستور با ولتاژ آستانه متفاوت دارد و چالش‌های طراحی را در پیاده‌سازی سیستم‌های چندسطحی کاهش می‌دهد. این مقاله، ساختار سطح ترانزیستوری مقایسه‌کننده‌های چهارسطحی تک‌رقمی و چندرقمیو مدارهای سطح ترانزیستوری به همراه تکنیک‌های مداری را ارائه می‌کند. نتایج شبیه‌سازی نیز نشان می‌دهند که مقدار تاخیر انتشار و توان مصرفی در مقایسه‌کننده تک‌رقمی چهار‌سطحی به ترتیب 17.3 پیکوثانیه و 4.59 میکرووات و شاخص pdpاین مقایسه‌کننده 79.2 آتوژول است. همه نتایج شبیه‌سازی مقایسه‌کننده‌های چهارسطحی در این مقاله با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی و تکنولوژی 32 نانومتر در نرم‌افزار hspiceبه ‌دست آمده است.