|
|
|
|
بهبود نسبت جریان روشن به خاموش ion/ioff درترانزیستورهای نانونوارگرافنی نوع شاتکی
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
تقی پور فرزانه ,قلی پور مرتضی ,عزیزالله گنجی بهرام
|
|
منبع
|
مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران - 1400 - دوره : 19 - شماره : 1 - صفحه:45 -52
|
|
چکیده
|
ترانزیستورهای نانونوار گرافنی نوع شاتکی (sbgnrfet)، علی‌رغم ویژگی‌های بارزی که نسبت به ترانزیستورهای متداول دارند، دارای جریان خاموش نسبتاً زیاد و نسبت پایین می‌باشند. در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور نانونوار گرافنی نوع شاتکی ارائه شده که در آن گیت ترانزیستور به دو قسمت تقسیم شده است. به گیتی که در سمت درین قرار گرفته است، ولتاژ ثابت متصل شده و گیتی که در سمت سورس قرار گرفته است، گیت اصلی ترانزیستور می‌باشد. ساختار sbgnrfet ارائه‌شده با مشخصه‌های هندسی و فیزیکی و در بایاس‌های متفاوت با استفاده از شبیه‌ساز عددی مبتنی بر توابع گرین غیر تعادلی شبیه‌سازی شده و کارایی افزاره مورد ارزیابی قرار گرفته است. نتایج شبیه‌سازی نشان‌دهنده بهبود نسبت ion/ioff تا 6.7 برابر در v 0.8= vds می‌باشد. در این ولتاژ نسبت ion/ioff از 1.2 در ترانزیستور sbgnrfet معمولی به 8.01 در ترانزیستور جدید رسیده و جریان خاموش ioff از µa 5 به µa 0.7 کاهش یافته است. همچنین در v 0.6= vds، به عنوان ولتاژ تغذیه، نسبت ion/ioff از 3.97 به 15.8 و جریان خاموش ioff از µa 0.63 به µa 0.16 رسیده است.
|
|
کلیدواژه
|
ترانزیستورهای نانونوار گرافنی نوع شاتکی (sbgnrfet)، شبیه‌سازی توابع گرین غیر تعادلی، نسبت جریان روشن به خاموش ion/ioff
|
|
آدرس
|
دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران, دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران, دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
baganji@nit.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Improving OnOff Current Ratio (Ion/Ioff) in SchottkyBarrierType Graphene Nanoribbon FETs
|
|
|
|
|
Authors
|
Gholipour Morteza
|
|
Abstract
|
Schottkybarriertype graphene nanoribbon transistors (SBGNRFET), despite their prominent characteristics compared to conventional transistors, have a relatively high offcurrent and a low Ion/Ioff ratio. In this paper, a new structure of SBGNRFET is presented in which the gate of the transistor is divided into two parts. A constant voltage is connected to the gate located on the drain side, and the gate located on the source side is the main gate of the transistor. The proposed SBGNRFET is simulated using nonequilibrium Green functionsbased numerical simulator under different geometric and physical characteristics and in biases. The simulation results show Ion/Ioff ratio improvement of up to 6.7fold at VDS = 0.8 V. At this voltage the ratio has increased from 1.2 in the normal SBGNRFET transistor to 8.01 in the new transistor and the off current has been reduced from 5 µA to 0.7 µA. Also at VDS = 0.6 V, as the supply voltage, the Ion/Ioff ratio increased from 3.97 to 15.8 and the off current decreased from 0.63 µA to 0.16 µA.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|