|
|
تحلیل و بررسی تاثیر پارامترهای طراحی فلیپفلاپ استاتیک بر مشخصههای زمانی و توان مصرفی آن در تکنولوژی 16 نانومتر
|
|
|
|
|
نویسنده
|
محمودی احسان ,قلی پور مرتضی
|
منبع
|
مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران - 1398 - دوره : 17 - شماره : 2 - صفحه:145 -152
|
چکیده
|
فلیپفلاپ یکی از عناصر مهم در طراحی مدارهای دیجیتال است که کارایی آن در سرعت و توان مصرفی سیستم بسیار تاثیرگذار میباشد. در این مقاله با انجام شبیهسازیهای مناسب، پارامترهای زمانی فلیپفلاپ استاتیک به دست آمده و تاثیر ابعاد ترانزیستورهای مختلف بر این پارامترها مورد بررسی قرار گرفته است. سپس با تغییر ولتاژ تغذیه و پارامترهای فرایند ساخت، میزان تاثیر تغییرات این عوامل بر کارایی فلیپفلاپ مورد ارزیابی قرار گرفته است. عرض ترانزیستورهای مدار بر اساس دستیابی به حاصلضرب انرژی تاخیر (edp) و حاصلضرب توان تاخیر (pdp) مطلوب در دو حالت به صورت مجزا تعیین شدهاند. سپس تاثیر تغییرات ولتاژ بر افزایش edp و pdp در مقایسه با فلیپفلاپ پایه مورد بررسی و ارزیابی قرار گرفته است. فلیپفلاپ مورد بررسی در این مقاله فلیپفلاپ استاتیک نوع d میباشد. شبیهسازیها با استفاده از نرمافزار hspice در تکنولوژی 16 نانومتر و در فرکانس نامی ghz 1 انجام شده است.
|
کلیدواژه
|
پارامترهای زمانی، توان مصرفی، فلیپفلاپ استاتیک
|
آدرس
|
دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران, دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران
|
پست الکترونیکی
|
m.gholipour@nit.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Analysis and Evaluation of the Effect of Design Parameters on Timing Parameters and Power Consumption of Static FlipFlop in 16 nm Technology Node
|
|
|
Authors
|
Mahmoodi E. ,Gholipour M.
|
Abstract
|
Flipflop is one of the important elements in the digital circuit’s design, which its performance affects the speed and power of the system. In this paper, appropriate simulations are used to obtain the timing parameters of the static flipflop and investigate the effect of the width of different transistors on these parameters. Then, the effects of the supply voltage and manufacturing process parameters variation on the performance of the flipflop are investigated. The widths of transistors are determined based on the desired energydelay product (EDP) and powerdelay product (PDP) for these two cases separately. Then, the effect of voltage variations on the increase of EDP and PDP are investigated compared to the base flipflop. We used a static Dtype flipflop in our simulations. The simulations were performed using the HSPICE in 16 nm technology node at 1 GHz frequency.
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|