تحلیل و مدل‌سازی آماری تغییرات تصادفی Cmrr و Psrr در تقویت‌کننده هدایت انتقالی فناوری Cmos نانومتری
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
محبوبی بهروز ,دیدبان داریوش
|
|
منبع
|
مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران - 1397 - دوره : 16 - شماره : 3 - صفحه:167 -176
|
|
|
|
|
چکیده
|
با پیشرفت فناوری مدارهای مجتمع و ورود ترانزیستورها به مقیاس‌های نانومتری، تغییرات آماری مشخصات الکتریکی افزاره‌ها به علت ماهیت گسسته بار و ماده و تغییرات تصادفی ناشی از نوسانات پروسه ساخت به طور چشم‌گیری افزایش پیدا کرده است. این تغییرات به نوبه خود باعث تغییر در مشخصه‌های خروجی بلوک‌های مهم آنالوگ و علی‌الخصوص تقویت‌کننده‌ها می‌شود. در این مقاله به کمک شبیه‌سازی مونت‌کارلو یک مدار تقویت‌کننده هدایت انتقالی و استفاده از 1000 مدل فشرده متفاوت برای ترانزیستورهای mosfet در فناوری 35 نانومتر، تغییرات آماری پارامترهای مهم مدار از لحاظ نحوه توزیع آماری، بررسی و آنالیز گردیده و مدل وابستگی آماری بین پارامترهای مهم مدار نیز استخراج شده است. تحلیل تغییرات آماری پارامترهای خروجی مدار و وابستگی آنها، دارای نتایج مستقیم در کاهش هزینه و زمان طراحی مدار بوده و حایز اهمیت فراوانی است.
|
|
کلیدواژه
|
تغییرات آماری تصادفی، تقویت‌کننده هدایت انتقالی، توزیع و وابستگی آماری، فناوری نانو Cmos
|
|
آدرس
|
دانشگاه کاشان, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران, دانشگاه کاشان, دانشکده مهندسی برق و الکترونیک, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
dideban@kashanu.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|