|
|
|
|
ترانزیستور mesfet کربید سیلیسیم با گیت تورفته در سمت سورس و درین و لایه مدفون n در کانال
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
رضوی محمد ,ظهیری حمید
|
|
منبع
|
مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران - 1396 - دوره : 15 - شماره : 2 - صفحه:137 -142
|
|
چکیده
|
در این مقاله، یک ترانزیستور mesfet با گیت تورفته در دو سمت سورس و درین و لایه مدفون نوع n در کانال (sds-drg) ارائه می‌گردد. مهم‌ترین پارامترهای الکتریکی ساختار پیشنهادی همچون اثر کانال کوتاه، هدایت انتقالی، جریان درین و ولتاژ شکست شبیه‌سازی شده و با همین مقادیر در ترانزیستورهای mesfet با گیت تورفته در سمت سورس (ss-drg) و گیت تورفته در سمت درین (ds-drg) مقایسه می‌شود. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد که کاهش ضخامت کانال زیرگیت در ساختار sds-drg، باعث بهبود ماکسیمم هدایت انتقالی و کاهش اثر کانال کوتاه در مقایسه با ساختارهای ss-drg و ds-drg می‌گردد. کاهش ضخامت کانال زیرگیت در سمت درین در ساختار sds-drg، جهت افزایش ولتاژ شکست نسبت به ساختار ss-drg استفاده می‌شود. همچنین لایه مدفون n با چگالی ناخالصی بالا در sds-drg، منجر به افزایش جریان درین اشباع در مقایسه با ss-drg و ds-drg می‌شود.
|
|
کلیدواژه
|
mesfet، گیت تورفته، هدایت انتقالی، اثر کانال کوتاه، ولتاژ شکست
|
|
آدرس
|
دانشگاه نیشابور, دانشکده مهندسی, گروه مهندسی برق, ایران, دانشگاه بیرجند, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, گروه الکترونیک, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
hzahiri@birjand.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
A Novel Source/Drain side Double Recessed Gate 4HSiC MESFET with nBuried Layer in the Channel
|
|
|
|
|
Authors
|
Razavi S. M. ,Razavi S. M.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|