|
|
|
|
بررسی مشخصه‌های الکتریکی algan/gan-hemt با واردکردن لایه p در لایه سد در دو سمت سورس و درین
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
رضوی محمد ,ظهیری حمید ,حسینی ابراهیم
|
|
منبع
|
مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران - 1396 - دوره : 15 - شماره : 3 - صفحه:217 -222
|
|
چکیده
|
در این مقاله، یک ترانزیستور hemt گالیم نیترایدی با یک لایه نیمه‌هادی نوع p در لایه سد در هر دو سمت سورس و درین (sd-pl) مورد بررسی قرار می‌گیرد. مهم‌ترین پارامترهای الکتریکی این ترانزیستور را مانند خازن گیت- سورس، خازن گیت درین، هدایت انتقالی، فرکانس قطع، میدان الکتریکی افقی، ولتاژ شکست، هدایت خروجی و جریان درین اشباع به وسیله نرم‌افزار دوبعدی اطلس شبیه‌سازی می‌کنیم. نتایج شبیه‌سازی شده در ساختار پیشنهادی با دو ساختار دیگر با لایه p در سمت سورس (sd-pl) و لایه p در سمت درین (d-pl) و ساختار مرسوم مقایسه می‌شوند. مطابق نتایج به دست آمده، ساختار پیشنهادی باعث بهبود خازن گیت سورس، ماکسیمم هدایت انتقالی، فرکانس قطع و هدایت خروجی در مقایسه با ساختار d-pl می‌گردد. همچنین این ساختار جدید باعث کاهش ماکسیمم میدان الکتریکی در گوشه گیت سمت درین شده و در نتیجه، ولتاژ شکست را به میزان قابل ملاحظه‌ای در مقایسه با ساختار مرسوم افزایش می‌دهد. افزایش طول (lp) و ضخامت (tp) لایه p در ساختارهای sd-pl و s-pl باعث بهبود ولتاژ شکست، خازن گیت سورس، خازن گیت درین و هدایت خروجی خواهد شد.
|
|
کلیدواژه
|
hemt، خازن گیت، هدایت انتقالی، میدان الکتریکی، هدایت خروجی، ولتاژ شکست
|
|
آدرس
|
دانشگاه نیشابور, دانشکده مهندسی, گروه مهندسی برق, ایران, دانشگاه بیرجند, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, گروه الکترونیک, ایران, دانشگاه فردوسی مشهد, دانشکده مهندسی, گروه الکترونیک, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
ehosseini@um.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Investigation of the Novel Attributes at AlGaN/GaN HEMT with a PLayer in the Barrier at Source and Drain Side
|
|
|
|
|
Authors
|
Razavi S. M. ,Razavi S. M. ,Hosseini S. E.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|