ارائه ساختاری نوین از فوتودیود شکست بهمنی ingaas / si sacm photodiode avalanche جهت آشکار‌سازی در طول موج تابشی 1550 نانومتر

در این مقاله یک آشکارساز مبتنی بر پدیده شکست بهمنی ( sacm apd ingaas/si ) برای آشکار‌ساز نور در طول موج 1550 نانومتر ارائه گردیده است . این آشکارساز با ساختا ر ی ساده ، از حیث لایه‌ها تعریف و کمیت‌های اصلی آشکار‌سازی آن همانند جریان تاریک ، جریان تابش ، بهره و پاسخ‌دهی، بهینه شده است. وجه برتری و تمایز این آشکار‌ساز این است که ولتاژ بایاس آن کمتر از مدل های موجود در مراجع معرفی شده می‌باشد و کمیت‌های آشکار‌سازی آن نیز، قابل رقابت با آنها می‌باشد. این ولتاژ بایاس حداقل 41 % از دیگر مراجع تطبیقی در شرایط مشابه کمتر است. در شاخص(0.9vbr) ‌ ، جریان تابش aμ 8.3 و جریان تاریک  4.9na حاصل گشته است. در ولتاژ بایاس 25 ولت جریان تابش aμ  51 و جریان تاریک  21 نسبت به فوتودیود مشابه افزایش می یابد. از این آشکار‌ساز برای کاربری‌های خاصی که نیاز به جریان تاریک بسیار پایین دارند نیز، می‌توان بهره برداری نمود.

The introduction of a new structure of the InGaAs / Si SACM APD avalanche photodiode for detection at 1550 nm radiation wavelength

In this paper, an avalanche photodiode (InGaAs/Si SACM APD) for detection at 1550 nm is presented. This detector has a simple structure defined in terms of layers, and its main detection parameters such as the dark current, photocurrent current, gain and responsivity are optimized. The advantage and distinction of this detector is that its bias voltage is smaller than the models available in the references and its detection parameters can compete with them. This bias voltage is at least 41% lower than other comparative references in similar conditions. In the index (0.9V_br), the photocurrent is8.3 u A and the dark current is 4.9 nA. At a bias voltage of 25 volts, the 51 u A photocurrent and the 21 nA dark current increase, compared to the same photodiode. This detector can also be used for special applications that require a very low dark current.