مروری بر روش‌های افزایش امنیت ارتباطات جهت طراحی مدارات مبتنی بر آتوماتای سلولی کوانتومی

فناوری اکسید فلز نیمه‌هادی مکمل یک روش محبوب و فراگیر در طراحی مدارات الکترونیکی و دیجیتالی است. ولی در این فناوری، کاهش در سطح زیر میکرون به‌سادگی امکان پذیر نیست؛ بدین دلیل فناوری آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه‌ای در سطح نانو به‌عنوان یک فناوری پیشتاز درزمینه نانو و روشی جدید جهت طراحی مدارات دیجیتال و کاهش توان مصرفی معرفی گردید. آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه‌ای در سطح نانو یک روش جدید برای انجام محاسبات با انتقال اطلاعات از طریق اندرکنش سلول‌های کوانتومی را بیان می کند. ابعاد کوچک، سرعت‌بالا، توان مصرفی پایین و تاخیر کم از ویژگی‌های اصلی این فناوری است. طراحی مدارات ایمن با امنیت بالا در فناوری آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه‌ای در سطح نانو با در نظر گرفتن ارتباطات بین سلولی و مصرف توان کم، فضای مصرفی بهینه، برای طراحان امری بسیار مهم و حائز اهمیت است. لذا، در این مقاله ابتدا آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه‌ای در سطح نانو شرح داده‌شده است و سپس سلول‌های کوانتومی، ساختارهای مهم در این فناوری، مبحث زمان‌بندی و نکات مهم در مدارات آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه‌ای در سطح نانو مطرح گردیده است و درنهایت مروری بر پژوهش‌های ارائه‌شده درزمینه امنیت نظیر مدار رمزنگاری در ارتباط بین مدارات در فناوری آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه‌ای در سطح نانو صورت گرفته است. درنهایت ساختارها، مدارات و صحت عملکرد آن‌ها مورد تحلیل و بررسی قرارگرفته است. نتایج حاصل نشان می‌دهد که می‌توان با روش‌هایی همچون طراحی مدار با دروازه استفاده از منطق برگشت‌پذیر در دروازه فینمن، کلید برگشت‌پذیر با مدار فردکین و پیاده‌سازی فرآیند رمز گزاری رمزگشایی، امنیت و قابلیت اطمینان به مدارات در ارتباطات نانو بر اساس آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه‌ای در سطح نانو را افزایش داد.