آنالیز نانوژنراتور فتوالکتریک و پیزوالکتریک با نقاط کوانتومی

نانوسیم‌های سیلیکونی در مقایسه با سیلیکون توده‌ای خواص ترموالکتریک خیلی بهتری دارند، زیرا ضریب هدایت گرمایی آن‌ها خیلی بهتر است. در این مقاله به بررسی ساختار ito/znonw/si و خواص پیزوالکتریک و فتوالکتریک آن پرداخته شده است. این سلول ترکیبی برای تبدیل همزمان انرژی‌های خورشیدی و مکانیکی به الکتریسیته طراحی شده و در آن نانوسیم‌های zno در بستر si نوع p کشت داده می‌شوند. سپس اثرات پیزوالکتریک و فتوالکتریک یک دستگاه نانوسیم zno برای تبدیل انرژی‌های نوری و مکانیکی به الکتریسیته مطالعه شده است. انتظار می‌رود این دستگاه یک کاندید قدرتمند برای نسل بعدی دستگاه‌های تولید انرژی مکانیکی باشد. در ادامه خواص تبدیل انرژی نوری و مکانیکی نانوسیم‌های zno آزاد و نقاط کوانتومی cdse که با نانوسیم‌های عمودی ترکیب شده‌اند، بررسی و عملکرد ito با پوشش گرافون نیز مطالعه خواهد شد.