>
Fa   |   Ar   |   En
   چگالی حالات و ساختار الکترونی insb با رویکرد محاسباتی کوانتوم اسپرسو  
   
نویسنده آتشبار تهرانی شاهین ,مرشدیان نادر
منبع مواد و فناوري هاي پيشرفته - 1403 - دوره : 13 - شماره : 3 - صفحه:75 -81
چکیده    در این مطالعه با استفاده از نظریه‌ی تابعی چگالی برای نیمه‌رسانای insb به مطالعه و بررسی جامع ویژگی الکترونیکی ایندیم آنتیموان پرداخته شده است. چگالی حالات کل dos و چگالی حالات جزئی pdos بررسی شده است. همچنین، سهم اوربیتال‌های اتمی فردی در ساختار اتمی بررسی شد و، علاوه بر این، ساختار نواری و پخش الکترونی آن مشخص شده است. به‌علاوه، با محاسبات و شبیه‌سازی، سطوح فرمی در این بلور مشخص شده است و ویژگی‌های مهمی از ساختار الکترونیکی را پدیدار می‌کند. این نکات بستری را برای مبنای نظری به‌منظور تحقیقات تجربی بیشتر و کاربردهای فناورانه‌ی دقیق‌تر فراهم می‌کند. در این بررسی، ساختار نواری و سطوح فرمی بلور insb بررسی شده است. بررسی ساختار نواری نشان می‌دهد که انرژی نوار ممنوعه در حدود 17/ 0 الکترون ولت است که با اندازه‌گیری‌هایی که از اثر هال به‌ دست آمده هماهنگی خوبی دارد. در این محاسبات از نرم‌افزار کوانتوم اسپرسو استفاده شده است و نتایج به‌دست‌آمده با نتایج آزمایشگاهی مطابقت خوبی دارد.
کلیدواژه چگالی حالت کل، چگالی حالت جزئی، ساختار نواری، سطح فرمی
آدرس پژوهشگاه دانش‌های بنیادی, پژوهشکده‌ی ذرات و شتابگرها, ایران. دانشگاه خلیج‌فارس, دانشکده‌ی علوم و فناوری نانو و زیست, گروه فیزیک, ایران, سازمان انرژی اتمی ایران, پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ای، پژوهشکده‌ی پلاسما و گداخت هسته‌ای, ایران
 
   density of states and electronic structure of insb with quantum espresso computational approach  
   
Authors atashbar tehrani shahin ,morshedian nader
Abstract    in this study, the electronic properties of indium antimony have been comprehensively investigated using density functional theory for insb semiconductors. the total density of states (dos) and partial density of states (pdos) were analyzed to evaluate the contribution of individual atomic orbitals in the atomic structure. in addition, the band structure and electron scattering properties of insb were determined. the fermi levels in this crystal were also identified, and the calculations revealed significant features of its electronic structure, thereby providing a theoretical basis for further experimental research and wider technological applications. the current research investigated the band structure and fermi levels of insb crystal. the band structure examination shows that the energy of the band gap is approximately 0.17 electron volts, which aligns closely with the measurements obtained from the hall effect. these calculations were performed using quantum espresso software, the results of which exhibited good agreement with the experimental results.
Keywords total state density ,partial density of states ,band structure ,fermi level
 
 

Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved