مطالعه‌ی خواص الکتریکی تک‌بلور insb

این پژوهش تعیین سازوکار پراکندگی در دو نوع نیمه‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌رسانای تک‌بلور بلوری insb از نوع n و p است. برای این منظور، هم‌زمان تغییرات ثابت هال، هدایت الکتریکی و ضریب پویایی‌پذیری در گستره‌ی دمایی k 77 تا k 360 و اثر هال با شدت میدان مغناطیسی 7900 گوس اندازه‌گیری و با نتایج تئوری مقایسه شده است. همچنین، دمای دبای و سازوکار پراکندگی از روی منحنی تغییرات ضریب پویایی‌پذیری از نظر دما، تعیین انرژی نوار ممنوعه و دمای هم‌پوشانی از روی منحنی تغییرات هدایت الکتریکی، تعیین چگالی ذرات باردار و با مشخص کردن نوع حامل‌های بار از روی تغییرات ثابت هال از نظر دما تعیین شده است. از روی منحنی تغییرات ضریب پویایی‌پذیری از نظر دما، سازوکار پراکندگی مشخص شده است. در این آزمایش، برای نمونه‌ی n، پراکندگی به‌وسیله‌ی مد اپتیکی در دماهای بالا و ناخالصی در دماهای پایین انجام شده است. در نمونه‌ی p، پراکندگی ازطریق مد آکوستیکی انجام شده و در هر دو نمونه ضریب پویایی‌پذیری به‌صورت نظری محاسبه شده که با مقادیر تجربی توافق خوبی داشته است.

study of electrical property of single crystal insb

the present study aims to determine the scattering mechanism in two types of n- and p-type insb single crystal semiconductors. for this purpose, the changes in the hall constant, electrical conductivity, dynamics coefficient in the temperature range of 77k to 360k, and hall effect with an intensity of 7900 gauss were simultaneously measured and compared with the theoretical results. additionally, debye temperature and dispersion mechanism were determined from the curve of changes in the mobility coefficient with respect to temperature. further, the energy of the forbidden band and overlapping temperature were calculated from the curve of changes in the electrical conductivity, and the density of the charged particles as well as the type of charge carriers were determined from the changes in the hall constant with respect to temperature. from the change curve of the dynamic’s coefficient with respect to temperature, the dispersion mechanism was defined. in this experiment, for the n-type sample, the scattering mechanism was carried out by the optical mode at high temperatures and by impurity at low temperatures. in the p-type sample, scattering was done by the acoustic mode. finally, in both samples, the dynamics coefficient was theoretically calculated that showed good agreement with the experimental values.