|
|
|
|
ارزیابی اثر افزودنی اکسید تالیوم بر ریزساختار و خواص الکتریکی وریستورهای اکسید قلع در کاربرد ولتاژ بالا
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
مالکی شهرکی محمد ,دلشاد چهرمهینی مهدی ,عبداللهی مهدی
|
|
منبع
|
مواد و فناوري هاي پيشرفته - 1399 - دوره : 9 - شماره : 1 - صفحه:33 -38
|
|
چکیده
|
در این تحقیق به بررسی اثر افزودن اکسید تالیوم در درصد‌های مولی0 ، 0.1 ،0.25 ، 0.5 و 1 بر ریزساختار و خواص الکتریکی وریستورهای بر پایه اکسید قلع در کاربرد ولتاژ بالا پرداخته شده است. نتایج الگوی پراش اشعه ایکس (xrd) و تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدانی (fesem) نشان می‌دهد که علاوه بر فاز اکسید قلع، فاز ثانویه‌ای اکسید تالیوم در نمونه‌های حاوی اکسید تالیوم با درصد مولی بیشتر از 0.25 وجود دارد. با افزودن اکسید تالیوم به وریستور اکسید قلع اندازه متوسط دانه از µm 4 در نمونه بدون افزودنی اکسید تالیوم تا µm 2.3 در نمونه حاوی 1 درصد مولی کاهش می‌یابد که می تواند ناشی از اثر فاز ثانویه بر کاهش رشد دانه بر اساس سازکار و کار زنر باشد. بهترین خواص الکتریکی غیراهمی در نمونه دوپ شده با 0.5 درصد اکسید تالیوم با جریان نشتی µa/cm2 95 و ضریب غیرخطی (15.1) مشاهده شده است. علاوه براین، میدان الکتریکی شکست در این نمونه در حدود v/mm 532 است. افزودن مقدار بیشتر اکسید تالیوم تاثیر چندانی بر ضریب غیرخطی ندارد اما سبب افزایش ولتاژ شکست بدلیل کاهش اندازه دانه می‌شود.
|
|
کلیدواژه
|
وریستور، اکسید قلع، اکسید تالیوم، خواص الکتریکی
|
|
آدرس
|
دانشگاه مراغه, دانشکده فنی, گروه مهندسی مواد, ایران, دانشگاه شهرکرد, دانشکده فنی, گروه مهندسی مواد, ایران, دانشگاه شهرکرد, دانشکده فنی, گروه مهندسی مواد, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
The Study of Tl2O3َ Addition on Microstructure and Electrical Properties of Highvoltage SnO2 Varistors
|
|
|
|
|
Authors
|
Maleki Shahraki Mohammad ,Delshad Chermahini Mehdi ,Abdollahi Mehdi
|
|
Abstract
|
In this research, the effects of various molar amounts of Tl2O3 addition (x= 0, 0.1, 0.25, 0.5, and 1.0) on microstructure and electrical properties of highvoltage SnO2 varistors were investigated. According to XRD and FESEM results, the presence of Tl2O3 was detected as secondary phase in samples which their x values are higher than 0.25. By Tl2O3 addition from 0 to 1%, the grain size decreased from 4 µm to 2.3 µm which it is resulted from a grain growth suppression induced by secondary phase based on Zener mechanism. The best nonOhmic properties with the nonlinear coefficient of 15.1 and the leakage current density of 95 µA/cm2 were observed in samples doped with 0.5% Tl2O3. Furthermore, the breakdown electric field of this sample was 532 V/mm. Further addition of Tl2O3 had no considerable effect on nonlinearity of samples, but it increased the breakdown electric field of samples through the reduction in grain size.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|