|
|
|
|
افزایش چسبندگی سطحی لایهنازک اکسیدگرافن روی بستر سیلیکون آبگریز
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
راثی ساناز ,نادری نیما ,مرادی مرتضی
|
|
منبع
|
مواد و فناوري هاي پيشرفته - 1397 - دوره : 7 - شماره : 1 - صفحه:29 -33
|
|
چکیده
|
در این تحقیق، لایه های اکسید گرافن باردار توسط روش رایج اصلاح شده هامر، سنتز گردید. لایه نازک اکسید گرافن به روش لایه نشانی الکتروفورتیک توسط سوسپانسیون کلوئیدی آبی اکسید گرافن روی زیرلایه سیلیکون لایه نشانی شد. جهت بهبود میزان چسبندگی لایه های اکسید گرافن روی سطح آبگریز سیلیکون، عملیات اصلاح سطح زیرلایه توسط ذرات نقره انجام گرفت. فرایند احیا اکسیدگرافن لایه نشانی شده در دمای °c400 تحت جریان آرگونانجام شد. الگوی پراش اشعه ی ایکس عامل دار شدن لایه های گرافیت با گروه های عاملی اکسیژنی و افزایش موفقیت آمیز فاصله بین صفحه ای توسط متد هامر اصلاح شده را تایید می کند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی از نمونه لایه نشانی شده روی بستر سیلکون اصلاح نشده، لایه نشانی غیر یکنواخت و جزئی اکسیدگرافن را نشان می دهد. بهبود میزان چسبندگی و لایه نشانی یکنواخت لایه نازک اکسیدگرافن پس از اصلاح سطح سیلیکون توسط ذرات نقره حاصل شد. طیف سنجی رامان حاصل از این نمونه شکل گیری لایه نازک اکسیدگرافن احیا شده را تایید می کند.
|
|
کلیدواژه
|
لایهنازک، لایهنشانی الکتروفورتیک، اکسیدگرافن، اصلاح سطحی، چسبندگی
|
|
آدرس
|
پژوهشگاه مواد و انرژی, پژوهشکده نانوتکنولوژی و مواد پیشرفته, ایران, پژوهشگاه مواد و انرژی, پژوهشکده نانوتکنولوژی و مواد پیشرفته, ایران, پژوهشگاه مواد و انرژی, پژوهشکده نانوتکنولوژی و مواد پیشرفته, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Enhanced Surface Adhesion of Graphene Oxide Thin Film on Hydrophobic Silicon Substrate
|
|
|
|
|
Authors
|
Rasi Sanaz ,Naderi Nima ,Moradi Morteza
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|