بررسی ساخت و خواص کامپوزیت های PZT-PVDF به روش ریخته گری نواری

درطراحی مبدل‌ها برای کاربردهایی که هردو عملکرد محرک و سنسور را دارند، کامپوزیت‌های پیزوسرامیک-پلیمر نقش کلیدی را بازی می‌کنند. در این پژوهش، با استفاده از روش‌ ریخته‌گری نواری کامپوزیت های‌ pzt-pvdf با الگوی اتصال3-0 در کسرهای حجمی 7/0- 15/0pzt شکل داده شده و با دو سرعت خشک کردن خشک شدند. مشخصات نمونه‌ها بااستفاده از sem، 33dمتر و امپدانس آنالایزر مطالعه شد. با افزایش ویسکوزیته سوسپانسیون و استفاده از همزن مافوق صوت جهت پراکنده سازی ذرات pzt، کامپوزیتی بدون ته نشینی ذرات سرامیک به دست آمد. تصاویرsem کامپوزیت خشک شده با سرعت زیاد، پراکندگی یکنواخت ذرات pzt در زمینه pvdf و برای کامپوزیت خشک شده با سرعت کم، جدایش بافترا نشان داد. اندازه گیری های ضریب بار پیزوالکتریک نشان دادکه افزایش درصد حجمی pzt و ایجاد جدایش بافت درون کامپوزیت هر دو منجر به افزایش مقدار 33d کامپوزیت می شود و بیشینه مقدار آن در کامپوزیت دارای جدایش بافت با کسر حجمی سرامیک 7/0 بدست آمد . اندازه گیری های ظرفیت خازنی نیز نشان داد که با افزایش کسر حجمی pzt ثابت دی الکتریک نسبی این کامپوزیت ها افزایش می یابد. بهینه مقدار ضریب ولتاژ پیزوالکتریک (33g) در کسر حجمی سرامیک حدود 55/0 و بیشینه مقدار ضریب شایستگی (33fom) در محدوده اندازه گیری شده درکسر حجمی سرامیک7/0 به دست آمد.