>
Fa   |   Ar   |   En
   بررسی اثر نوع ماده احیا کننده کربنی در احیا جزیی هگزافریت باریم و تولید نانوکامپوزیت های مغناطیسی  
   
نویسنده مولایی محمد جعفر ,عطایی ابوالقاسم ,رایگان شهرام
منبع علم و مهندسي سراميك - 1391 - دوره : 1 - شماره : 2 - صفحه:29 -40
چکیده    در این تحقیق هگزافریت باریم به همراه گرافیت و یا کربن سیاه در محیط آسیاکاری مکانیکی تحت احیا جزیی قرار گرفته و نانوکامپوزیت های bafe12o19/fe3o4 تولید شد. نانوکامپوزیت های حاصل، در دماهای 300، 350، 400 و °c500 در هوا تحت عملیات حرارتی قرار گرفتند. محصولات به دست آمده در هر مرحله توسط روش های xrd، vsm و fesem مورد مشخصه یابی قرار گرفتند. در اثر آسیاکاری مخلوط هگزافریت باریم و گرافیت، پیک های fe3o4 بعد از 40 ساعت آسیاکاری در نسبت مولی 9/0=c:o و بعد از 20 ساعت آسیاکاری در نسبت مولی 1/1=c:o در الگوهای پراش اشعه ایکس ظاهر شدند. ظهور پیک های این فاز در مخلوط هگزافریت باریم و کربن سیاه بعد از 20 ساعت آسیاکاری در نسبت های مولی 1/1 و 9/0=c:o رخ داد. این امر به فعالیت بیشتر کربن سیاه نسبت به گرافیت در عملیات احیا نسبت داده شد. تصاویر fesem نشان داد که نمونه های 20 ساعت آسیاکاری شده این مخلوط ها از آگلومره هایی با اندازه متوسط ذرات nm 30 تشکیل شده است. عملیات حرارتی مخلوط هگزافریت باریم و ماده کربنی منجر به افزایش نیروی پسماندزدا و مغناطش اشباع به دلیل خروج ماده کربنی و کاهش کرنش های پسماند شد. مغناطش اشباع برای نمونه مخلوط هگزافریت باریم و گرافیت بعد از 20 ساعت آسیاکاری و عملیات حرارتی در دمای °c400 برابر emu/g 1/50 و این مقدار برای مخلوط هگزافریت باریم و کربن سیاه emu/g 3/55 بود. این تفاوت در مغناطش اشباع به مقدار فاز مگنتیت موجود در کامپوزیت نسبت داده شد.
کلیدواژه هگزافریت باریم ,آسیاکاری ,عملیات حرارتی ,خواص مغناطیسی
آدرس دانشکده مهندسی متالورژی و مواد، پردیس دانشکده های, دانشکده مهندسی متالورژی و مواد، پردیس دانشکده های فنی، دانشگاه تهران, ایران, دانشکده مهندسی متالورژی و مواد، پردیس دانشکده های, دانشکده مهندسی متالورژی و مواد، پردیس دانشکده های فنی، دانشگاه تهران, ایران, دانشکده مهندسی متالورژی و مواد، پردیس دانشکده های, دانشکده مهندسی متالورژی و مواد، پردیس دانشکده های فنی، دانشگاه تهران, ایران
 
     
   
Authors
  
 
 

Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved