|
|
|
|
محاسبه ابتدا به ساکن ویژگی های ساختاری و الکترونی ترکیب snbi2te4
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
صالحی حمدالله ,ابراهیمی ناصر
|
|
منبع
|
علم و مهندسي سراميك - 1402 - دوره : 12 - شماره : 1 - صفحه:1 -11
|
|
چکیده
|
در این تحقیق ویژگی های الکترونی و ساختاری عایق توپولوژی snbi2te4 در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با روش امواج تخت بهبود یافتۀ خطی با پتانسیل کامل با بسته نرم افزاری wien2k محاسبه شده است. گاف نواری انبوهه با تقریب pbe برابر با 0.36 الکترون‌ولت و با تقریب lda برابر با 0.22 الکترون‌ولت به دست آمده است و نشان می دهد که این ماده می‌تواند برای کاربردهای الکترونیکی در دمای اتاق مناسب باشد. نتایج به دست آمده با دیگر داده های موجود سازگاری دارد.
|
|
کلیدواژه
|
عایق توپولوژی، نظریۀ تابعی چگالی، گاف نواری
|
|
آدرس
|
دانشگاه شهید چمران اهواز, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه شهید چمران اهواز, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
salehihamid@yahoo.com
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ab-initio calculation of structural and electronic properties of topological insulator snbi2te4
|
|
|
|
|
Authors
|
salehi hamdollah ,ebrahimi naser
|
|
Abstract
|
we report the electronic, structural and optical properties of topological insulator snbi2te4 calculated by means of linear augmented plane waves with full potential (fp-lapw) within the framework of density functional theory (dft) implemented in wien2k code. bulk band gaps of 0.36ev and 0.22ev are predicted by using pbe and lda approximations, respectively. these gaps indicated that snbi2te4 is potentially suitable for room temperature electronics applications. the results are in accordance with other works.
|
|
Keywords
|
topological insulator ,density functional theory ,band gap
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|