سنتز منگنز وانادات با ساختار کره‌ای پوشش برای استفاده بعنوان ماده الکترودی با عملکرد ابرخازنی زیاد

خازن های الکتروشیمیایی بدلیل داشتن دانسیته توان بالا، سیکل پذیری زیاد و دانسیته انرژی مطلوب در سال های اخیر برای استفاده در سیستم های ذخیره و انتقال انرژی مورد توجه قرار گرفته اند. اکسیدهای فلزی دوتایی بدلیل داشتن خواص مورفولوژیکی مطلوب و عملکرد ابرخازنی بهتر، مورد توجه محققان قرار برای ساخت الکترود قرار گرفته اند. در این پژوهش ماده الکترودی منگنز وانادات (mn2v2o7) با استفاده از روش دو مرحله ای سل ژل و هیدروترمال سنتز شد. سپس تست های مشخصه یابی xrd، ft ir و sem جهت تعیین خواص کریستالوگرافیکی و مورفولوژیکی مورد استفاده قرار گرفتند. تست های مشخصه یابی نشان دادند که ماده الکترودی mn2v2o7 با مورفولوژی کره ای پوشش بدست آمدند. با انجام تست های الکتروشیمیایی cv، gcd و eis، مشخص شد که الکترود mn2v2o7 دارای عملکرد عالی ابرخازنی با ظرفیت ویژه خازنی f/g 401 در دانسیته جریان a/g 1 است. این عملکرد مربوط به اثر هم افزایی اکسید های منگنز و وانادیوم می باشد که تخلخل و سایت های فعال لازم جهت انجام واکنش انتقال بار را فراهم می کنند. 

investigating the effect of nickel oxide on themicrostructure and mechanical properties of zirconiasynthesis of mn2v2o7 hollow microsphere as a highperformance electrode material for supercapacitors

electrochemical capacitors have been considered for use in energy storage systems in recent years due to their high power density, high cycling stability, and optimal energy density. binary metal oxides have been used by researchers to make electrodes due to their desirable morphological properties and better supercapacitive performance. in this study, manganese vanadate (mn2v2o7) electrode was synthesized using two step sol gel and hydrothermal methods. then, the characterization tests of xrd, ft ir and sem were used to determine the crystallographic and morphological properties. characterization analyses showed that the electrode material of mn2v2o7 was obtained with a hollow microbial morphology. electrochemical tests of cv, gcd and eis showed that the mn2v2o7 electrode had excellent supercapacitive performance with a specific capacitance of 401 f/g at a current density of 1 a/g.