بررسی و مطالعه اثر ترابردی بر ناهمواری سطح تانتالوم با استفاده از کاشت یون پرانرژی آرگون

در مطالعه حاضر، اثر ناهمواری فصول مشترکی که در اثر کاشت یونی بر روی سطوح پایه تانتالوم تولید شده اند بررسی شده است. یون های آرگون با انرژی   30 کیلو الکترون  ولت و در دزهای1017×1 تا و 1017×10 (یون بر سانتی متر مربع) استفاده شده است. میکروسکوپ نیروی اتمی برای توصیف ریخت شناسی سطح  استفاده شده است . تاثیر ناهمواری لایه های نازک تولید شده از طریق کاشت یونی، هدف از تحقیق میزان احتمال انتقال الکترونی در تانتالوم است. با بمباران یون آرگون تغییر قابل توجهی در  نمونه ها رخ می دهد از جمله ناهمواری، اندازه دانه، توزیع آن برای نمونه کاشته نشده و نمونه های کاشته شده .سهم اجزای پراکنده احتمال انتقال نمونه‌هایی که با دزهای پایین‌تر یون کاشته شده‌اند، غالب‌تر از موارد کاشته‌شده توسط دزهای بزرگ‌تر است. همچنین بر اساس نتایج با افزایش دز یونی، چگالی جریان لایه های نازک افزایش می یابد. یکی از اثرات اصلی ناهمواری، کاهش احتمال عبور  است. نتایج نشان می دهد که میزان پراکندگی به واسطه فصول مشترک ناهموار تولید شده با کاشت یون آرگون بیشتر است. به علاوه محاسبات چگالی جریان نتایج مذکور را تایید نموده و میزان چگالی جریان مولفه های پراکنده شده فصول مشترک ناهموار تولید شده با کاشت یون کمتر است.

the effects of interfacial roughness on the argon ion implanted tantalum films

in the present study, effect of interfacial roughness on the ion implanted tantalum based surfaces has been investigated. the argon ions with energy of 30 kev and in doses of 1×1017 , 3×1017 , 5×1017 , 7×1017 , and 10×1017  (ion/cm2) have been used at ambient temperature. the atomic force microscopy (afm), analysis have been used to study and characterize the surfaces morphology. the effect of roughness through the ion implantation on the transport properties has been studied. the produced samples thin films are rough and therefore the transmission probability has been reduced. there was a significant change in areas of samples; such as roughness, grain size, its distribution for the un-implanted sample, and samples implanted with argon ions. the contributions of scattered components the transmission probability of samples which have been implanted by lower doses of ions are more dominant rather than those implanted by bigger doses of ions. also, based on our results, by increasing the ion doses, the current density of thin films increase.