a detailed model of a half bridge igbt power module based on the analytical calculation and measurement for emc study

The parasitic parameters of an igbt power module cause various problems, especially for electromagnetic compatibility (emc) concerns. the high-variations in voltage and current produced by the inductances/capacitances near switches in the transient process are the main sources of high-frequency electromagnetic interference (emi). to overcome the problems, the parasitic parameters of the module should be accurately characterized. in this paper, a precise detailed model of a commercial half-bridge igbt module is presented. it includes the parasitic inductances of leads, bond wires, dbc plates, and the parasitic capacitances of the module and igbts. the new simplified analytical equations to calculate the partial inductance and parasitic capacitance are proposed and compared with ansys q3d results. to evaluate the accuracy of the model, all the parameters are also derived from a two-port measurement-based parasitic extraction method. the results show an acceptable match between the simulated and experimental values. finally, the proposed model is implemented by state-space dynamic coupling in ansys simplorer circuit simulator, and a double-pulse test circuit is used to verify the model. by comparing the simulated current and voltage waveforms with experiment, it is proved that the proposed model is applicable to simulate the switching transients for emc study.

یک مدل با جزئیات از یک ماژول قدرت IGBT نیم پل بر اساس محاسبه تحلیلی و اندازه‌گیری جهت استفاده در مطالعات سازگاری الکترومغناطیسی

اندوکتانس‌های پراکندگی بسته‌بندی یک ماژول قدرت سبب بروز مشکلات فراوانی مخصوصا در حوزه سازگاری الکترومغناطیسی (EMC) می‌شود. تغییرات ناگهانی بزرگ در ولتاژ و جریان ناشی از اندوکتانس/خازن نزدیک سوئیچ در فرایند کلیدزنی، منبع اصلی تداخلات الکترومغناطیس (EMI) است. برای غلبه بر این مشکلات پارامترهای پراکندگی ماژول باید به طور دقیق و صحیح تعیین گردد. در این مقاله یک مدل دقیق با جزئیات از یک ماژول IGBT تجاری با ساختار نیم پل ارائه شده است. این مدل شامل اندوکتانس‌های پراکندگی پایه‌ها، بوند وایرها، بسترهای DBC، و خازن‌های پراکندگی ماژول و خازنهای IGBTها است. روابط تحلیلی ساده شده‌ای جدیدی برای محاسبه مقادیر اندوکتانس‌ها و خازن‌های پراکندگی ارائه و با نتایج شبیه سازی در نرم افزار ANSYS Q3D مقایسه شده است. همچنین به منظور ارزیابی صحت مدل پیشنهادی، کلیه پارامترها به کمک یک روش استخراج پراکندگی براساس اندازه‌گیری دودرگاهه حاصل شده‌اند. نتایج نشان از تطبیق قابل قبولی میان مقادیر اندازه‌گیری شده و مقادیر شبیه سازی شده است. در نهایت مدل پیشنهادی توسط اتصال دینامیکی فضای حالت در نرم افزار ANSYS Simplorer تحقق یافته و یک مدار تست دوپالسه برای اعتبار سنجی مدل بکار گرفته شده است. با مقایسه شکل موج‌های جریان و ولتاژ شبیه سازی شده با نتایج حاصل از تست، قابلیت مدل پیشنهادی در شبیه سازی رفتار گذرایی سوئیچ‌ها برای مطالعات EMC، به اثبات رسیده است.