|
|
|
|
مشخصه غیرخطی جریان-ولتاژ یک دیواره مغناطیسی 2π رادیان در نانوسیم‌های نیمرسانای فرومغناطیسی نوع P
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
فلاحی وحید ,عبدی قلعه رضا ,آقبلاغی رضا
|
|
منبع
|
پژوهش سيستم هاي بس ذره اي - 1396 - دوره : 7 - شماره : 13 - صفحه:165 -173
|
|
|
|
|
چکیده
|
در مقالۀ حاضر، مشخصه جریانولتاژ یک دیواره مغناطیسی 2π رادیان ایجاد شده در میان دو نانوسیم از جنس نیمرسانای مغناطیسی نوع p با قطبش اسپینی بسیار بالا در دمای معین t مطالعه و بررسی شده است. در این راستا، احتمال عبور و بازتاب حامل‌ها از دیواره 2π رادیان با حل معادله جفت شده شرودینگر برای مولفه‌های تابع موج اسپینی با اسپین بالا و پائین تعیین شده و سپس چگرادیان با حل معادلات جفت شده شرودینگر برای مولفه‌های تابع موج اسپینی با اسپین بالا و پائین تعیین شده و چگالی جریان بار و چگالی جریان اسپینی بر حسب آنها بدست آمده است. در مطالعه رفتار اسپیندیودی دیواره مغناطیسی نشان داده شده است که آستانه ولتاژ شروع به کار دیود با عریض‌تر شدن دیواره افزایش می‌یابد. همچنین، وابستگی غیرخطی قطبش اسپینی به ولتاژ اعمالی به منظور کاربرد در ترانزیستورهای اسپینی تعیین گردیده است.
|
|
کلیدواژه
|
نانوسیم فرومغناطیسی، دیواره مغناطیسی، مشخصه جریان-ولتاژ، قطبش اسپینی
|
|
آدرس
|
دانشگاه بناب, دانشکده علوم پایه, گروه فیزیک و مهندسی اپتیک و لیزر, ایران, دانشگاه بناب, دانشکده علوم پایه, گروه فیزیک و مهندسی اپتیک و لیزر, ایران, دانشگاه بناب, دانشکده علوم پایه, گروه فیزیک و مهندسی اپتیک و لیزر, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
r.aghbolaghi@gmail.com
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Nonlinear currentvoltage characteristic of a 2π domain wall in ptype magnetic semiconductor nanowires
|
|
|
|
|
Authors
|
Abdi Reza ,Aghbolaghi Reza ,Fallahi Vahid
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|