بررسی خواص ساختاری و اپتیکی لایه‌های نازک اکسید ایندیم قلع

در این تحقیق، لایه‌های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به‌روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه‌های شیشه‌ای با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه‌نشانی شده‌اند. دمای زیرلایه‌ها در خلال لایه‌نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک‌های پراش پرتو ایکس (xrd) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr) برای آنالیز ساختاری لایه‌های نازک استفاده شده است. خواص اپتیکی لایه‌ها با استفاده از طیف سنجی فرابنفش-مریی در محدوده (800-310 نانومتر) بررسی شد. همچنین آنالیز عنصری ماده با استفاده از دستگاه انرژی پراکندگی اشعه ایکس (eds) انجام شد. برای آنالیز داده‌ها از نرم افزارهای matlab، genxو xpowder استفاده شدند. سپس ضخامت واقعی (nm)، چگالی الکترونی متوسط (e/?3) و ناهمواری (nm) لایه‌های نازک ito به‌دست آمدند. مقادیر گاف انرژی برای ضخامت های50، 100، 170 و 250 nm به‌ترتیب 47/3 ، 58/3، 71/3 و 87/3 ev به‌دست آمدند. نتایج نشان می‌دهد که با افزایش ضخامت لایه‌های نازک اندازه متوسط بلورک‌ها رشد کرده، تراگسیل اپتیکی، جذب و گاف انرژی لایه‌های نازک به‌ترتیب کاهش، افزایش، افزایش می‌یابد.