بررسی خواص گسیل میدانی آرایه‌ی نانو‌سیم‌های اکسید روی آلاییده شده با طلا

آرایه‌ای از نانوسیم‌های اکسید روی از طریق لایه‌نشانی فلز طلا در محیط خلا بر روی زیرلایه‌ی فلز روی به همراه اکسایش حرارتی در هوا در دمای oc 400 و به مدت 4 ساعت ساخته شد. الگوی پراش پرتو ایکس مجموعه‌ای از قله‌های معینی مطابق با ساختار ورتسایت اکسید روی نشان داد. تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص نمود که نانوسیم‌های اکسیدروی با طول چندین میکرون تشکیل شده‌اند. مطالعات طیف‌سنجی فوتوالکترون اشعه‌‌ی ایکس نشان داد که اتم‌های au و zn در حالت اکسید هستند. مطالعه‌ی گسیل میدانی الکترون به وسیله‌ی ساختار دیودی در فشار mbar8-10?1 صورت پذیرفت. مقدار میدان عطف، مطابق تعریف برای چگالی گسیل جریان الکترون 2µa/cm 1/0، v/µm4/2 به‌دست آمد. نمودار فولر- نوردهیم (f-n) رفتار خطی را در کل محدوده‌ی میدان اعمال شده مطابق با رفتار ذاتی گسیل‌کننده‌های نیم‌رسانا نشان داده است.