گذار فاز عایق شبه‌توپولوژیکی به عایق در ژرمانن دولایه

نانونوار ژرمانن دولایه به‌دلیل پیوندهای بین دولایه و جفت‌شدگی اسپین – مدار قوی، دارای کاربردهای فراوانی در طراحی نانو دستگاه‌ها و دانش اسپینترونیک دارند. با استفاده از مدل تنگ‌بست و رهیافت تابع گرین، ویژگی‌های ترابرد کوانتومی و گذار فازهای توپولوژیکی نانونوار ابرشبکه ژرمانن دولایه با لبه زیگزاگ با اعمال میدان الکتریکی عمودی و جفت‌شدگی اسپین- مدار راشبا بررسی می‌شود. نتایج محاسبات نشان می‌دهد که اعمال میدان الکتریکی عمودی یک گاف انرژی ایجاد می-کند و گذار فاز فلز- نیم‌فلز در سامانه اتفاق می‌افتد. همچنین، ما شاهد گذار فاز از عایق شبه‌توپولوژیکی به عایق با اعمال میدان الکتریکی عمودی در ژرمانن دولایه بودیم. علاوه بر این، نتایج نشان می‌دهد که با تغییر دادن قدرت جفت‌شدگی اسپین- مدار راشبا، جریان اسپینی قابل کنترل است. این توانایی کنترل جریان اسپینی و رسانش در نانونوار ژرمانن کاربردهای فراوانی در نانوقطعات الکترونیکی دارد و در توسعه اسپینترونیک مفید خواهد بود.

phase transition of quasi-topological insulator to band insulator in bilayer germanene

bilayer germanene nanoribbons (bgnr), due to interlayer bonds and strong spin-orbit coupling, have more application in the design of nano-devices and spintronics. quantum transport properties and topological phases transition of zigzag superlattice bgnr exposed to the vertical electric field and rashba spin-orbit coupling (rsoc) are studied within the tight-binding based non-equilibrium green’s function approach. results demonstrate that by applying the vertical external electric field, a gap opening and metal-semimetal phase transition occur in the system. meanwhile, we found the topological phase transition of a quasi-topological insulator-band insulator by applying a vertical electric field in bgnr. further, results reveal that by tuning the rsoc strength, we can control the spin current. this controllability of spin and quantum transport in gnr may contribute to potential applications in nano-devices and the development of spintronic.