ساختار باندی گرافن بورن نیترید در چارچوب مدل تنگ بست واقعی

در این مقاله با استفاده از یک مدل تنگ بست واقع گرایانه و دقیق، ساختار الکترونیکی تک لایه‌ گرافن رشد یافته بر بستر یک زیر لایه‌ بورن نیترید، مورد مطالعه قرار گرفته است. برای این منظور با انجام محاسبات مبتنی بر نظریه‌ تابعی چگالی، امکان رشد گرافن بر زیر لایه‌ بورن نیترید در یک شبکه‌ منطبق بر هم، مورد بررسی قرار گرفته است. ساختار الکترونیکی این شبکه از برازش پارامترهای تنگ بست تا همسایه‌ پنجم، با داده‌های تابعی چگالی محاسبه شده است. در این شبکه ساختار الکترونیکی گرافن تا حدود زیادی حفظ شده است. نتایج نشان می‌دهد، اثرات بین لایه‌ای نسبتاً ضعیف است. یک گاف کوچک حدود 0.2 الکترون ولت در اثر معادل نبودن جایگاه‌های کربنی در ساختار گرافنی ایجاد شده است که می‌توان با اعمال یک ولتاژ گیت از آن برای ایجاد ترانزیستورهای اثر میدان استفاده کرد.

Graphene Boron Nitride electronic structure in the framework of Realistic Tight binding Model

Here in this work, an accurate realistic tight binding model has been used to investigate the electronic band structure of graphene on the top of hexagonal boron nitride substrate. Based on the density functional theory (DFT), the possibility of graphene growth on a latticematched hexagonal boron nitride substrate has been investigated. Up to fifth neighbor approximation, the electronic band structure of this lattice has been reproduced by fitting the tight binding hopping parameters to the DFT band structure data. Our results show that the interlayer effects are relatively weak and so, the electronic band structure of singlelayer graphene is almost preserved. Due to the inequality of the carbon subsites of this system, a small gap is opened at the Dirac points of the graphene bandstructure, which can be used to generate field effect transistors