رفتار نیمه‌فلزی، پایداری ترمودینامیکی و عملکرد ترموالکتریکی هویسلرهای چهارتایی جدید coxmnsi(x=rh,tc)

مطالعۀ رفتار نیمه‌فلزی، ترموالکتریکی و پایداری ترمودینامیکی ترکیب‌های جدید هویسلر چهارتایی coxmnsi(x=rh, tc) برمبنای محاسبات نظریۀ تابعی چگالی انجام پذیرفته است. این ترکیب‌ها دارای حجم تعادلی هستند و برای آن‌ها ثابت‌های شبکۀ تعادلی 5.81 و 5.77 آنگستروم به ترتیب برای corhmnsi و cotcmnsi به‌دست آمد که در تطابق با دیگر کارها است. بررسی نمودارهای فاز ترمودینامیکی نشان داد که این دو ترکیب در تمام شرایط ترمودینامیکی پایدار خواهند بود. هم‌چنین مدول حجمی این دو ترکیب به ترتیب 225.8 و 242.5 گیگا پاسکال محاسبه شده است که نشان از سختی بسیار بالای بلوری آن‌ها دارد. محاسبات ساختار الکترونی بیانگر رفتار نیمه فلزی با قطبش اسپینی 100% در هر دو ساختار است. ترکیب corhmnsi در اسپین اقلیت با تقریب‌های gga و gga+u دارای گاف‌های 0.65 و 0.72 الکترون ولت و ترکیب cotcmnsi نیز بر اساس تقریب‌های فوق دارای گاف 0.22 و 0.51 الکترون ولت شده است. هم‌چنین بررسی خواص ترموالکتریکی نشان می‌دهد که این ترکیب‌ها با شاخص مریت 0.99 در دمای اتاق کاندیداهای مناسبی برای مقاصد ترموالکتریکی هستند.

Half-metallic behavior, thermodynamic stability and thermoelectric performance of new CoXMnSi (X=Rh, Tc) quaternary Heuslers

Halfmetallic, thermoelectric, and also thermodynamic stability of CoXMnSi (X = Rh, Tc) quaternary Heusler compounds were performed by density functional theory calculations. These compounds have an equilibrium volume with the lattice constants of 5.81 and 5.77 Aᵒ for CoRhMnSi and CoTcMnSi, respectively, which is consistent with the other functions. Moreover, the bulk moduli of these compounds have been calculated to be 225.8GPa and 242.5GPa, respectively, which indicates their very high crystalline hardness. Thermodynamic phase diagrams confirmed the thermodynamic stability of these compounds. Electronic calculations show halfmetallic behavior with 100% spin polarization at the Fermi level for both compounds. The CoRhMnSi has 0.65eV and 0.72eV, and CoTcMnSi has 0.22eV and 0.51eV spin gap in minority spin when applying the GGA and GGA+U approximations, respectively. Also, the study of thermoelectric properties shows that these compounds with a figure of merit index of 0.99 at room temperature are suitable candidates for thermoelectric purposes, which is in agreement with other works.