بررسی جذب یک سویه فلوئور بر روی گرافن به روش دینامیک مولکولی

جذب فلوئور بر گرافن سبب تنظیم شکاف انرژی و در نتیجه گرافن آلائیده به فلوئور یکی از ترکیباتی است که موجب کاربردی شدن گرافن در صنایع الکترونیک می‌شود. در این مقاله نقش دما و غلظت اتم‌های فلوئور بر فرآیند جذب یک سویه صفحه گرافن و دو سویه آن بررسی شده است. نتایج این مطالعه نشان می‌دهند که تعداد اتم‌های فلوئور که جذب صفحه گرافن می‌شوند با افزایش غلظت گاز فلوئور تا مقدار معینی افزایش می‌یابند و سپس با افزایش بیشتر غلظت ثابت باقی میمانند. همچنین با افزایش دما تا حدی که ساختار گرافن مختل نشود، سبب افزایش تعداد پیوندهای c-f می‌شود. همچنین مشاهده شد که چیدمان فلوئورهای جذب شده چنان است که از افزایش اختلال در توازن بین دو زیر شبکه گرافن جلوگیری شود.

Dynamics of fluorine atoms in a single-sided fluorination process on graphene: a molecular dynamics study

The absorption of fluorine on the graphene surface controls the energy gap. As a result, fluorinated graphene can be a valuable material for electronic applications. Based on molecular dynamics (MD) simulations, the effect of concentration and temperature on the absorption process of fluorine atoms on the graphene surface is investigated. Results show that the number of fluorine atoms absorbed on the graphene surface increases to a certain amount with the concentration of atomic fluorine gas. Further increases in atomic concentration show no effect. The number of CF bonds increases by temperature so that the structure of the graphene is not disturbed. The adsorbedfluorine atoms are arranged in a manner that compensates for the imbalance between the two sublattices.