|
|
|
|
بررسی خواص ساختاری، الکترونی و ترابردی نانولوله‌های iii-v با استفاده از تئوری تابعی چگالی
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
کمالیان منیر
|
|
منبع
|
پژوهش سيستم هاي بس ذره اي - 1400 - دوره : 11 - شماره : 4 - صفحه:110 -123
|
|
چکیده
|
در این مقاله خواص ساختاری، الکترونی و ترابردی نانولوله‌های زیگزاگ (0و 5) بورون نیتراید (bn)، گالیم آرسناید (gaas)، گالیم نیتراید (gan)، گالیم فسفاید (gap)، ایندیوم نیتراید (inn) و ایندیوم فسفاید (inp) با استفاده از تئوری تابعی چگالی (dft) ترکیب شده با فرمالیزم تابع گرین غیر تعادلی (negf) توسط نرم افزار siesta مورد مطالعه قرارگرفته شده است. ساختار باندی الکترونی، چگالی حالات (dos)، گاف انرژی، مشخصه جریان ولتاژ (iv) و منحنی ترابرد (di/dv) این ساختارها تحت شرایط بایاس پائین مورد بررسی قرار گرفت، نتایج بدست آمده ماهیت نیمه‌هادی این ساختارها را تایید مینماید. در بین این ساختارها، نانولوله زیگزاگ (0و 5) گالیم فسفاید (gap) باند گاف انرژی غیر مستقیم را نشان داده است که این ساختار را مناسب برای بکارگیری در نمایشگرهای رنگی می‌سازد در عوض نانولوله زیگزاگ (0و 5) گالیم آرسناید (gaas) علاوه بر باند گاف انرژی کوچکتر و چگالی حالات بیشتر مشخصه مقاومت دیفرانسیلی منفی(ndr) از خود نشان داد بگونه‌ای که می‌تواند کاندیدای مناسبی برای بکارگیری در قطعات اپتوالکترونیکی سرعت بالا، سوئیچ کننده‌های سرعت بالا و نوسانگرهای سرعت بالا باشد.
|
|
کلیدواژه
|
ترکیبات گروه iii-v، نانولوله، تئوری تابعی چگالی (dft)، مقاومت دیفرانسیلی منفی (ndr)، نرم افزار siesta
|
|
آدرس
|
دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری, دانشکده علوم پایه, گروه فیزیک, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
m.kmalian@srbiau.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Investigation of structural, electronic and transport properties of III-V nanotubes using by Density Functional Theory
|
|
|
|
|
Authors
|
Kamalian Monir
|
|
Abstract
|
In this study, the structural, electronic and transport properties of the (5, 0) zigzag BN, GaAs, GaN, GaP, InN and InP nanotubes have been studied using Density Functional Theory (DFT) combined with NonEquilibrium Green’s Function (NEGF) formalism with SIESTA software. The electronic band structure, density of states (DOS), currentvoltage (IV) characteristics and quantum conductance curves (dI/dV) of these structures were studied under lowbias conditions. The obtained results demonstrate that all of these structures exhibit semiconducting behavior but the (5, 0) zigzag GaP nanotube has an indirect band gap which makes it suitable to use for full color displays. Instead the (5, 0) zigzag GaAs nanotube has a smaller band gap, the highest value of the electron density of states and it showed the amazing property of Negative Differential Resistance (NDR). Therefore, it is an important candidate to use in highspeed optoelectronic devices, highspeed switching devices and high frequency oscillators.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|