رسانش از سد دی‌سلنیوم تنگستن از میان اتصالات سیلیسین

حاملان بار در دی‌کالکوژنیدهای فلزات واسطه دارای درجه آزادی کوانتومی بار، اسپین و وادی هستند. در این مقاله، خواص ترابرد الکترونی در اتصالی که دی‌سلنیوم تنگستن، بین دو ناحیه سیلیسین نرمال محصور شده است، را در حضور میدان‌های تبادلی زیمان اسپین ( )،دره ( ) و همچنین یک پتانسیل الکتریکی مورد بررسی قرار می‌دهیم. قطبش اسپین و وادی و همچنین رسانش اسپین و وادی را با استفاده از فرمول‌بندی پراکندگی لاندائوربوتیکر محاسبه می‌کنیم. نتایج نشان می‌دهند که رسانش سیلیسین تک لایه نرمال با گاف نواری ذاتی با حضور سد دی‌سلنیوم تنگستن، با تنظیم میدان ‌های زیمان اسپین و دره قابل کنترل است و قطبش اسپینی و دره ای در حدود 80 درصد گزارش شده است. در واقع با تغییرات شدت میدان های زیمان اسپینی و دره ای ، جای دره ها عوض می شوند. که این نتیجه چشمگیری است. در واقع به راحتی می توان ترابرد را از دره ای به دره دیگر با تغییر شدت میدان های زیمانی و اسپینی به راحتی کنترل کرد.همچنین خواهیم دید افزایش طول ناحیه میانی به‌دلیل پدیده تونل‌زنی کلاین، نمی‌تواند مانع رسانش شود.

Conductance in WSe2 Barrier through the Silicene Junctions

This study aims to investigate changes in radon concentrations in residuals areas, using a sample closed room with the surface area of 12 m2. In the room, radon gas emitted from the floor and walls surfaces with different emission rates, and gaps under the door and around the window were the natural ventilation routes. Radon concentrations were measured in different points of the room in different circumstances and times using an accurate radon detector and then compared with the simulation results from Computational Fluid Dynamics (CFD) technique under corresponding conditions and times. The analytical data were used to validate the results of these two techniques. The results indicate that the radon concentration decreases from a relatively uniform distribution of about 81 Bq/m3 to a relative nonuniform distribution in the range from 12 Bq/m3 to 44 Bq/m3 after a very slow natural ventilation. The simulation results demonstrate an appropriate agreement with the experimental data that indicate the accuracy of performed modeling.