حسگری گاز مونوکسیدکربن توسط سیلیسین دارای تهی‌جای نقطه‌ای با استفاده از شبیه‌سازی فوق سریع طیف‌سنجی اتلاف انرژی الکترون

تقاضای روز افزون برای حسگرهای بسیار حساس، گزینش‌پذیر، مقرون به صرفه، کم مصرف، پایدار و قابل حمل موجب تحقیقات گسترده‌ای برای به کارگیری مواد دو بعدی شده است. مواد دو بعدی امروزه به دلیل شفافیت نوری خوب، انعطاف پذیری بالا، قدرت مکانیکی عالی و همچنین خواص الکتریکی ویژه‌ی الکترونیکی و اپتوالکترونیکی، برای ساخت حسگرهای گازی بسیار مناسب هستند. در این مقاله خواص الکترونی، اپتیکی و مغناطیسی ابریاخته سیلیسین در حضور گاز مونوکسیدکربن در غیاب نقص‌های شبکه، و حضور تهی‌جای‌ها با استفاده از نظریه تابعی چگالی و نظریه تابعی چگالی وابسته به زمان بررسی شده است. با توجه به بررسی‌های انجام شده در می‌یابیم که خواص الکترونی و مغناطیسی سیستم مورد بررسی در اثر جذب مولکول گازی و حضور تهی‌جای‌‎ها تغییر می‌کند. در این جا طیف سنجی اتلاف انرژی الکترون، سیلیسین خالص، سیلیسین در حضور مولکول گازی و سیلیسین با حضور تهی‌جای‌ها بررسی شده است. که طیف مرتبط به آن‌ها نشان می‌دهد که قله پلاسمونی (نوسانات دسته جمعی) تغییر می‌کند.

Gas molecule sensing (CO) with defect silicene monolayer: a turbo EELS study

Increasing demand for highly sensitive, selective, affordable, lowconsumption, durable and portable sensors has led to extensive research into the use of twodimensional materials. Twodimensional materials are very suitable for making gaseous sensors due to good optical clarity, high flexibility, high mechanical strength, and special electronic and optoelectronic properties. In this paper, the electronic, optical and magnetic properties of pure and defected silicene monolayer in the presence of carbon monoxide gas has been studied using first principles calculations based on density functional theory and timedependent density functional theory. According to the investigations, we find that the optical and electronic properties of the system are altered by the absorption of the gas molecule and the vacancy defect. Here, the electron energy loss spectroscopy for pure silicene monolayer in the presence of gaseous molecule and vacancies defect have been investigated. The spectrum associated with them indicates that the plasma peak changes (Collective modes).