بررسی تاثیر پتانسیل متناوب و ثابت بر روی ترابرد گرافین سه لایه با ساختار برنلAba

گرافین صفحه‌ای از اتم‌های کربن است که به صورت یک تا چندلایه (حدود ده لایه) خواص دوبعدی خود را حفظ می‌کند. در این بین گرافین سه‌لایه به علت پایداری و فراوانی نسبت به دیگر ساختارها، مورد توجه است. چون تعداد و چگونگی قرارگیری لایه‌ها نسبت به هم خواص ترابردی ماده و طیف پاشندگی را تغییر می‌دهد؛ بنابراین در بررسی گرافین سه‌لایه ساختار برنل aba به تحلیل هامیلتونی و ساختار نواری آن پرداخته‌ایم. بررسی‌ها یک‌بار در حالت نرمال و بار دیگر در حضور دو نوع پتانسیل انجام شده است. ترابرد الکتریکی قطعه‌ای از گرافین سه‌لایه در حضور سد پتانسیل بین دو قطعه نرمال بدون پتانسیل، بررسی شده و نمودار بهنجار شده‌ی رسانش، از رویکرد لاندائو بوتیکر تحلیل و ترسیم شده‌است؛ رسانش بسته به اندازه پتانسیل اعمالی و طول ناحیه میانی می‌تواند ماکزیموم و مینیموم مقدار خود را داشته باشد؛ یعنی با اعمال هر دو نوع پتانسیل ترابرد بار کنترل می‌شود. چون تغییرات رسانش بین صفر و یک نمادی برای کاربرد قطعات نانوالکترونیک در ساخت ترانزیستورهای صنعتی on off با ابعاد بسیار کوچک است؛ در اینجا به بررسی روش‌های اعمال پتانسیلی پرداخته‌ایم که می‌تواند با ایجاد سدپتانسیل الکتریکی، رسانش را در محدوده‌ی خاصی بین صفر و یک کنترل کند.

Considering Effects of Presence of Staggered and Gate Potential on Transport in Bernal Stacked ABA Trilayer Graphene

Graphene is a twodimensional carbonarranged structure in the hexagonal lattice, each cell of which is non Bravais and consists of two A, B substructures of atoms that can be maintained in ( of one to several layers maximum of its) twodimensional properties. Trilayer graphene has been studied due to its stability and abundance over other structures. Considering the type and number of layers and how are placed in relation to each other in the properties of the material, causing a different dispersion spectrum, we will see different transport properties in the structures. Thus, in the study of trilayer graphene, the three distinct layers of AAA, the ABA and the ABC–stackeds were introduced and then analyzed by the Hamiltonian analysis and the Bernal strip structure. Investigations have been carried out once in normal and again in the presence of two types of potential, because in the analysis of electrical transport we consider a piece of threelayer graphene in the presence of a potential sandwiched between two normal these are without potential. The electrical transport properties by analyzing the flow diagram, derived from the LandaureButtiker approach, indicate that the use of trilayer graphene in the production and construction of transistors.