مطالعه ی گذار فلز به عایق در نانو لوله گرافنی نقص دار با اعمال میدان الکتریکی : رهیافت آشوب کوانتومی

گذار فلز به عایق در یک نانو لوله ی تک جداره گرافنی در حضور ناکاملی ها با استفاده از تئوری آشوب کوانتومی بر مبنای هامیلتونی تنگ بست مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. نتایج به دست آمده نشان می دهند که اعمال میدان الکتریکی در امتداد محور نانو لوله نقص دار موجب گذار از فاز رسانا به عایق می شود. با استفاده تحلیل طیف انرژی و تحلیل مولتی فرکتالی، مقدار آستانه ی میدان الکتریکی برای بروز پدیده گذار تعیین شد. نتایج بیانگر آن است که نانو لوله نقص دار در غیاب میدان الکتریکی رفتار فلزی از خود نشان می دهد. با افزایش تدریجی میدان الکتریکی ، تابع توزیع ترازی از حالت ویگنری (گسترده) به تابع توزیع پواسونی (جایگزیده) تبدیل می شود طوریکه به ازای مقدار آستانه میدان الکتریکی، سیستم کاملا به صورت پوا سونی رفتار می کند.

The study of metalinsulator transition in defected graphene nanotube by applying electric field: Quantum chaos approach

By employing quantum chaos theory, metalinsulator transition have been investigated in a singlewalled graphene nanotube which is affected by vacancies based on the tightbinding Hamiltonian. Our obtained results indicate that applying electric field along the axis of the defected graphene nanotube caused metal to insulator transition. Using spectral and multifractal analysis, the threshold value of electric field is determined. The results show that the in the absence of electric field, the defected nanotube shows metallic behavior with Wigner distribution. By increasing the value of the electrical field, level spacing distribution changes from Wigner (delocalized) to Poisson (localized) distribution. Such that for the threshold value of the electrical field, Poisson level spacing sets in.