فازهای عایق توپولوژیکی و کانال های خط صفر در گرافین

فازهای توپولوژیکی را می‌توان در گرافین تک لایه ودو لایه با حضور جفت شدگی اسپین – مدار و پتانسیل خارجی ایجاد کرد. در این کار ویژگی‌های مختلف کانال‌های خط صفر یک بعدی فلزی را در اتصال‌های گرافینی تک لایه و دو لایه بررسی می‌کنیم. در واقع اتصال‌های گرافینی بین نواحی با نظم توپولوژیکی مختلف می‌باشد. برای تحقیق چگونگی پیدایش کانال‌های خط صفر یک بعدی، از روش هامیلتونین بستگی قوی استفاده می‌کنیم. با توجه به حالت های حاصل شده، تعداد کانال‌های یک بعدی فلزی در اتصال‌های با لبه‌های مختلف، متفاوت است که این نتیجه می‌تواند به عنوان مشخصه‌ای برای تشخیص مواد تک لایه و دو لایه گرافینی از هم و همچنین روشی برای تمیز دادن نوع لبه‌ها (زیگزاگ یا صندلی شکل) از هم پیشنهاد می شود.

Topological insulator phases and zeroline channels in graphene

Topological phases can be induced in single and bilayer graphene in the presence of appropriate spinorbit coupling and external potentials. We survey the character of the different metallic 1D zero line channels at bulkvacuum edges and at interfaces between regions with different bulk topological order in single and bilayer graphene. We use a tightbinding Hamiltonian for ribbon geometries to study the character of the 1D zeroline channels appearing at the interfaces between regions of different topological phases. Depending on the resulting states, the number of 1D metallic channels at interface and edge differ that these can be thought as a characterization of the states.