|
|
|
|
بررسی رفتار نیمه‌فلزی و هم ترازی نوارهای مرزمشترک mn2feal/gaas(001) بر پایه نظریه تابعی چگالی
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
بوچانی آرش ,امیری ملیحه
|
|
منبع
|
پژوهش سيستم هاي بس ذره اي - 1398 - دوره : 9 - شماره : 1 - صفحه:20 -24
|
|
چکیده
|
ویژگی های الکترونی ، انحراف نواری و مغناطیسی مرزمشترک gaas/mn2feal توسط محاسبات اصول اولیه با استفاده از نظریه تابعی چگالی و تقریب گرادیان تعمیم‌یافته (gga) مورد بررسی قرار‌گرفت.محاسبات نشان دادند که مرزمشترکmn mn/ga از نظر انرژی پایدارتر از دیگر مرزمشترک های قابل بررسی بود.مطالعه همزمان سد‌شاتکی و پتانسیل الکتروستاتیکی برای این ساختار نشان‌دهنده هم‌ترازی نواری نوعiii (شکسته)می‌باشد، جاییکه لبه نوار ظرفیت mn2feal بالاتر از لبه نواررسانش گالیوم آرسناید می‌باشد.ما یک انحراف نوار ظرفیت54 .1الکترون‌ولت و یک انحراف نوار رسانش 39 .1الکترون‌ولت را یافتیم.از این‌رو mn2feal/gaas(001) برای کاربرد‌های gmr و tmr پیشنهاد می‌شود. در این مرزمشترک شاهد بروز یک اختلاف پتانسیل الکترواستاتیکی به میزان 0.056میکروولت و نیز بروز رفتار نیمه‌فلزی هستیم
|
|
کلیدواژه
|
مرز مشترک، انحراف نواری، نظریه تابعی چگالی، سد شاتکی، رفتار نیمه فلزی
|
|
آدرس
|
دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه, گروه فیزیک, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Halfmetallic behavior and Band alignment of Mn2FeAl/GaAs(001) interface based on density functional theory
|
|
|
|
|
Authors
|
Boochani Arash ,Amiri Maliheh
|
|
Abstract
|
The electronic ,band offset and magnetic properties of Mn2FeAl /GaAs are investigated by firstprinciples calculations using density functional theory with generalized gradiant approgximation (GGA).The Mn Mn/Ga interface is stable in terms of energy. The simultaneous analysis of the shotkey barriers and the electrostatic potential for this structure indicates the type III band alignment, where the valence band edge of Mn2FeAl is higher than that of conduction band edge of Gallium arsenide. We find a valence band offset (VBO) of 1.54eV and conduction band offset(CBO) of 1.39eV. Hence, Mn2FeAl /GaAs (001) is recommended for GMR and TMR applications. There was an electrostatic potential difference of 0.056 μV and also halfmetallic behavior in this interface.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|