>
Fa   |   Ar   |   En
   جدیدترین نانوساختارهای پنج ضلعی تک لایه: اصول اولیه محاسباتی  
   
نویسنده کاظمی سمیرا ,مرادیان رستم
منبع پژوهش سيستم هاي بس ذره اي - 1398 - دوره : 9 - شماره : 1 - صفحه:169 -178
چکیده    در این مقاله، خواص الکترونی و اپتیکی سه نمونه از جدیدترین ساختارهای پنج ضلعی تک لایه شامل c4b2، c2b4 و c2n4 بر مبنای نظریۀ تابعی چگالی (dft) و با اجرای کد محاسباتی wien2k مورد مطالعه قرار گرفته است. در بخش خواص الکترونی، با رسم ساختار نواری و منحنی های چگالی حالت های کلی و جزئی، این نتایج حاصل شد که این ساختارها از نظر الکترونی، به ترتیب با داشتن گاف انرژی ای در حدود 0.2، 1.2 و 3.1 الکترونولت در گروه نیم رساناها دسته بندی می شوند. همچنین، در بخش خواص اپتیکی نیز، تعدادی از پارامترهای اپتیکی مانند ثابت دی الکتریک، تابع اتلاف انرژی و بازتاب پذیری برای این ترکیبات مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج محاسبات اپتیکی نشان می دهند که در قطبش میدان الکتریکی در راستای x گاف اپتیکی با گاف نواری همخوانی داشته و نیز انرژی پلاسمونی مطابقت بیشتری با مدل الکترون آزاد دارد. همچنین تعداد موثر الکترون ها در انرژی حدود 15 الکترونولت برای این ترکیبات به ترتیب معادل با 21، 20 و 20 الکترون به دست آمد که در مقایسه با تعداد الکترون های آزاد به علت جایگزیدگی تعدادی از آن ها کمتر است.
کلیدواژه خواص الکترونی، خواص اپتیکی، تابع دی الکتریک، بازتاب پذیری، تابع اتلاف انرژی
آدرس دانشگاه رازی, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه رازی, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران
پست الکترونیکی r.moradian@razi.ac.ir
 
   New monolayer pentananostructures: Firstprinciples calculations  
   
Authors moradian rostam ,kazemi samira
Abstract    In this paper, the first principle study of the electronic and optical properties of new monolayer penta(C4B2, C2B4, and C2N4) via the density functional theory (DFT) and using the Wien2k code are studied. Our results demonstrate that the monolayer penta(C4B2, C2B4, and C2N4) are semiconductors with gap energies 0.2 eV, 1.2 eV, and 3.1 eV, respectively. Also, in the optical properties section, a number of optical parameters optical virtues such as reflectivity, dielectric function, and energy loss function versus energy variations are calculated. The results of the optical calculations show that, in the xpolarization of the electric field, the optical band gap corresponds to the electronic band gap, and the plasmon energy matches with the free electron model. Also, the effective number of electrons in an energy of about 15 eV was found to be equivalent to 21, 20, and 20 electrons, respectively, which is small compared to the free electron, due to the localization of the number of electrons.
Keywords
 
 

Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved