|
|
|
|
شبیه سازی رشد تک بلور Bgo بوسیله روش ارتقاء یافته چُکرالسکی با گرادیان دمای پایین
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
امید شیرین ,توکلی محمد حسین ,محمدی خیراله
|
|
منبع
|
پژوهش سيستم هاي بس ذره اي - 1397 - دوره : 8 - شماره : 18 - صفحه:23 -33
|
|
|
|
|
چکیده
|
در این مقاله میدان دما و جریان شاره در طی مراحل مختلف رشد تک بلور bgo به روش چُکرالسکی با گرادیان دمای پایین و استفاده از سیستم گرمایش مقاومتی شبیه سازی و کیفیت بلور رشد یافته با استفاده از تنش گرمایی ایجاد شده در آن، در ارتفاع های مختلف بررسی شده است. پیکربندی سامانه رشد استفاده شده در سیستم مورد مطالعه مطابق یا یک سیستم واقعی در آزمایشگاه و شامل یک لوله سرامیکی استوانه ای، محافظ گرمایی و سه منطقه گرمایی المنتی با شعاع های مختلف به منظور تولید و کنترل گرادیان دمای پایین می باشد. انتقال حرارت تابشی سطح به سطح و نیز تابش داخلی در سیستم رشد در نظر گرفته شده است. نتایج شبیه سازی و انطباق آن با داده های تجربی نشان می دهد که گرادیان دمای پایین و پیکربندی خاص سیستم منجر به بهینه شدن فصل مشترک بلور مذاب، کاهش تنش های گرمایی و بهبود کیفیت بلور رشد یافته می گردد.
|
|
کلیدواژه
|
شبیه سازی کامپیوتری، انتقال گرما، میدان شاره، روش چُکرالسکی، تک بلور
|
|
آدرس
|
دانشگاه بوعلی سینا, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه بوعلی سینا, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه مالک اشتر, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
simulation of BGO single crystal growth by improved low thermal gradient (LTG) Czochralski
|
|
|
|
|
Authors
|
Mohammadi Kheirollah ,Tavakoli Mohammad Hosein ,omid shirin
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|